[发明专利]无机基质纳米压印光刻体及其制造方法在审
| 申请号： | 202110798457.1 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113933921A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 朱塞佩·卡拉菲奥雷;饶婷玲;安基特·沃拉;彼得·托帕利安 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G02B27/01;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机 基质 纳米 压印 光刻 及其 制造 方法 | ||
1.一种纳米压印光刻(NIL)光栅，包括具有约10％或更少的相对量的碳的陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述陶瓷材料中的碳的相对量为约9％或更少、约8％或更少、约7％或更少、约6％或更少、约5％或更少、约4％或更少、约3％或更少、约2％或更少、或约1％或更少。
3.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述陶瓷材料基本上不含有机材料。
4.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中陶瓷材料包括氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钨、锌碲、磷化镓或其任何组合或衍生物中的一种或更多种。
5.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有在从10％至90％范围内的占空比。
6.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有在从30％至90％范围内的占空比。
7.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅是非倾斜的光栅。
8.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅是倾斜的光栅。
9.根据权利要求8所述的NIL光栅，其中倾斜角在从大于0°至约70°的范围内。
10.根据权利要求8所述的NIL光栅，其中倾斜角大于30°。
11.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有从30nm至450nm的深度。
12.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有从50nm至350nm的深度。
13.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有从75nm至250nm的深度。
14.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有大于100nm且小于500nm的深度。
15.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有从0.5:1至6:1的纵横比。
16.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有从1:1至5:1的纵横比。
17.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述光栅具有大于3:1且小于8:1的纵横比。
18.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述陶瓷材料具有在从1.90至2.25范围内的折射率。
19.根据权利要求1所述的NIL光栅，其中所述折射率在460nm被测量。
20.一种光学部件，包括根据权利要求1所述的NIL光栅。
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