[发明专利]一种利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法有效
申请号: | 202110798585.6 | 申请日: | 2021-07-15 |
公开(公告)号: | CN113564391B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 王建华;陈文瑶;彭浩平;刘亚;苏旭平 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | C22C1/02 | 分类号: | C22C1/02;C22C21/04 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213164 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 体循环 过热 消除 共晶铝硅 合金 初生 方法 | ||
1.一种利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法,其特征在于:
首先在高于液相线温度下熔炼Al-18Si过共晶铝硅合金并进行保温处理,熔炼温度为750℃、保温时间为30分钟;
然后将Al-18Si合金熔体分别在液相线以上温度和液相线温度之间进行熔体循环过热净化处理,熔体循环过热净化处理时先将Al-18Si过共晶铝硅合金熔体快速冷却至665℃保温30分钟,然后再快速升温至750℃,保温30分钟,此过程为一次熔体循环过热净化处理,熔体循环过热净化处理的次数为3-5次;
最后将合金熔体在液相线以上温度下浇注到室温金属型中凝固,得到细小无初生硅的Al-18Si过共晶铝硅合金凝固组织。
2.如权利要求1所述的利用熔体循环过热消除过共晶铝硅合金中初生硅的方法,其特征在于:将经过不同次数熔体循环过热净化处理的Al-18Si合金熔体在750℃下浇注到室温金属型中凝固。
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