[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

外延层，与所述衬底的生长面连接，且所述外延层包括势垒层；

第一绝缘介质层，位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述第一绝缘介质层由缺氧或缺氮化合物材料制作而成，其中，所述缺氧或缺氮化合物材料的氧元素或氮元素低于理论化学计量比；

第二绝缘介质层，位于所述第一绝缘介质层远离所述衬底的一侧，所述第二绝缘介质层由富氧或富氮化合物材料制作而成，其中，所述富氧或富氮化合物材料的氧元素或氮元素等于或高于理论化学计量比；

栅极，与所述第二绝缘介质层连接；

源极与漏极，分别位于所述势垒层的两侧，且与所述势垒层、所述第一绝缘介质层以及所述第二绝缘介质层连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，制作所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层的材料分别为Al₂O_3-x/Al_2-yO₃，其中，x大于0且小于3，y大于0且小于2；或

制作所述第一绝缘介质层与第二绝缘介质层的材料分别为HfO_2-a/Hf_1-bO₂，其中，a大于0且小于2，b大于0且小于1。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，制作所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层的材料分别为Si₃N_4-m/Si_3-nN₄，其中，m大于0且小于4，n大于0且小于3。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，制作所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层的材料分别为Al₂O_3-x/Si_3-nN₄，其中，x大于0且小于3，n大于0且小于3；或

制作所述第一绝缘介质层与第二绝缘介质层的材料分别为HfO_2-a/Si_3-nN₄，其中，a大于0且小于2，n大于0且小于3。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，制作所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层的材料分别为Si₃N_4-m/Al_2-yO₃，其中，m大于0且小于4，y大于0且小于2；或

制作所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层的材料分别为Si₃N_4-m/Hf_1-bO₂，其中，m大于0且小于4，b大于0且小于1。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘介质层的厚度为5～10nm；

所述第二绝缘介质层的厚度为15～30nm。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层还包括缓冲层与沟道层，所述缓冲层、所述沟道层以及所述势垒层逐层连接。

8.一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述方法用于制作如权利要求1至7任一项所述的半导体器件，所述方法包括：

提供一衬底；

沿所述衬底的一侧生长外延层，其中，所述外延层包括势垒层；

沿所述外延层远离所述衬底的一侧生长第一绝缘介质层，其中，所述第一绝缘介质层由缺氧或缺氮化合物材料制作而成，且所述缺氧或缺氮化合物材料的氧元素或氮元素低于理论化学计量比；

沿所述第一绝缘介质层远离所述衬底的一侧生长第二绝缘介质层，其中，所述第二绝缘介质层由富氧或富氮化合物材料制作而成，且所述富氧或富氮化合物材料的氧元素或氮元素等于或高于理论化学计量比；

在所述第二绝缘介质层上制作栅极，并在势垒层的两侧制作源极与漏极。