[发明专利]一种具备直流故障电流主动转移抑制能力的桥臂拓扑结构及MMC拓扑结构

权利要求书

1.一种具备直流故障电流主动转移抑制能力的桥臂拓扑结构，其特征在于：包括N/2个半桥子模块SM、N/2改进型半桥子模块SM_H、N/2晶闸管；

半桥子模块SM的负极引出端口B₁与改进型半桥子模块SM_H的正极引出端口A₂相连，晶闸管的阳极与半桥子模块SM的电容C₁正极电位点相连，晶闸管的阴极与改进型半桥子模块SM_H的负极引出端口B₂相连。

2.根据权利要求1所述的具备直流故障电流主动转移抑制能力的桥臂拓扑结构，其特征在于：所述半桥子模块SM包括绝缘栅双极型晶体管T₁、T₂、电容C₁及二极管D₁、D₂，半桥子模块SM的电压正极引出端口A₁连接至绝缘栅双极型晶体管T₁发射极、T₂集电极及二极管D₁阳极、D₂阴极，半桥子模块SM的电压负极引出端口B₁连接至T₂发射极、D₂阳极、改进型半桥子模块SM_H的正极引出端口A₂；

所述半桥子模块SM的电容C₁的正极端连接至T₁集电极、D₁阴极、晶闸管的阴极，半桥子模块SM的电容C₁的负极端连接至T₂发射极、D₂阳极、半桥子模块SM的负极引出端口B₁。

3.根据权利要求1所述的具备直流故障电流主动转移抑制能力的桥臂拓扑结构，其特征在于：所述改进型半桥子模块SM_H包括绝缘栅双极型晶体管T₃、二极管D₃、双向开关T及电容C₂，改进型半桥子模块SM_H的电压正极引出端口A₂连接至绝缘栅双极型晶体管T₃发射极、D₃阳极、双向开关T二极管D₄₁的阴极与D₄₃的阳极的公共连接点、半桥子模块SM的电压负极引出端B₁，改进型半桥子模块SM_H的电压负极引出端口B₂连接至双向开关T二极管D₄₂的阴极与D₄₄的阳极的公共连接点、半桥子模块SM的电压正极引出端A₁；

所述改进型半桥子模块SM_H的电容C₂的正极端连接至T₃集电极、D₃阴极、晶闸管的阳极，改进型半桥子模块SM_H的电容C₂的负极端连接至双向开关T二极管D₄₂的阴极与D₄₄的阳极的公共连接点、改进型半桥子模块SM_H的电压负极引出端口B₂。