[发明专利]一种倒装发光二极管和发光装置

权利要求书

1.一种倒装发光二极管，包括：

半导体发光序列层；

第二金属电极，位于半导体发光序列层之上；

绝缘层，位于半导体发光序列层和第二金属电极上，具有第二开口；

第二焊盘电极，位于绝缘层上；

其特征在于：在所述半导体发光序列层上，所述的绝缘层自下而上依次包括底层、中间层和两种材料的重复堆叠层，所述的底层为氧化硅层，所述的中间层为氧化铝层，底层和中间层直接接触，所述的绝缘层的第二开口贯穿底层、中间层和两种材料的重复堆叠层，第二焊盘电极通过绝缘层的第二开口接触第二金属电极。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的底层与两种材料的重复堆叠层的其中一种材料的组成元素种类相同。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的底层的几何厚度为至少5纳米，至多30纳米。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的中间层的几何厚度至少为50纳米，至多为300纳米。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的重复堆叠层的材料为氧化硅与氧化钛。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的重复堆叠层的材料为氧化铌与氧化硅。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的重复堆叠层之上有一层顶层，所述的顶层的折射率介于重复堆叠层的两种材料的折射率之间。

8.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的顶层为氧化铝。

9.根据权利要求7所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的顶层的几何厚度至少为50纳米，至多为300纳米。

10.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的半导体发光序列层之上还有透明导电层，透明导电层之上还有金属电极，透明导电层上有孔洞，金属电极具有填充所述透明导电层的孔洞与半导体发光序列层接触的部分。

11.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的重复堆叠层的两种材料的重复堆叠对数为3~25对。

12.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的绝缘层的几何厚度为1~6微米。

13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述的第二焊盘电极包括镍层，镍层的几何厚度为550~750纳米之间。

14.一种发光装置，其特征在于：包括权利要求1~13任一项所述的倒装发光二极管。