[发明专利]存储器存储装置和包括非易失性存储器的电子装置

说明书

一种电子装置包括：非易失性存储器；存储器控制器，其被配置为控制非易失性存储器；以及连接到存储器控制器的主机。存储器控制器被配置为：响应于从主机接收到的第一写入信号，向非易失性存储器提供第一写入信号，非易失性存储器被配置为：基于提供的第一写入信号来执行写入操作，基于执行写入操作的结果生成第一元数据，并且向主机提供生成的第一元数据。主机被配置为：使用基于提供的第一元数据或第一写入信号被训练的神经网络模型，确定出是否执行非易失性存储器的垃圾收集，响应于确定执行垃圾收集，向存储器控制器提供垃圾收集请求信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年8月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0100407的优先权以及从其累积的全部权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种存储器存储装置和一种包括非易失性存储器的电子装置。更具体地，本公开涉及一种执行垃圾收集的存储器存储装置和电子装置。

背景技术

半导体存储器装置包括易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置在断电时会丢失其存储的内容，但它们具有较高的读写速度。相反，由于非易失性存储器装置即使在断电时也保持其存储的内容，因此非易失性存储器装置用于存储无论是否被供电都需要维护的内容。

例如，易失性存储器装置包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器装置即使断电也会保留其存储的内容。例如，非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存可以被分类为NOR闪存和NAND闪存。

特别地，当与普通的EEPROM相比时，闪存装置具有能够实现为例如高度集成的辅助大容量存储装置的优点。

使用闪存来生产各种存储器系统。存储器系统可以通过协议将数据存储到闪存中或从闪存读取数据。

闪存可以执行垃圾收集以确保空闲块。依据执行这种垃圾收集的时序，闪存的性能可能迅速劣化，因此需要一种控制该现象的方法。

发明内容

本公开的各方面提供了一种能够通过预测执行垃圾收集的时间段来改善非易失性存储器的性能的电子装置。

本公开的各方面还提供了一种能够通过预测执行垃圾收集的时间段来改善非易失性存储器的性能的存储器存储装置。

然而，本公开的各方面不限于本文阐述的那些。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

其他实施例的具体细节包括在详细描述和附图中。

根据本公开的一方面，提供了一种电子装置，所述电子装置包括：非易失性存储器、存储器控制器、以及主机，所述存储器控制器被配置为控制所述非易失性存储器，所述主机连接到所述存储器控制器，其中，所述存储器控制器被配置为：响应于从所述主机接收到的第一写入信号，向所述非易失性存储器提供所述第一写入信号，所述非易失性存储器被配置为：基于提供的所述第一写入信号来执行第一写入操作，基于执行所述第一写入操作的结果来生成第一元数据，并且向所述主机提供生成的所述第一元数据，所述主机被配置为：使用基于提供的所述第一元数据或所述第一写入信号被训练的神经网络模型，确定出是否执行所述非易失性存储器的垃圾收集，以及所述主机被配置为：响应于确定执行垃圾收集，向所述存储器控制器提供垃圾收集请求信号。