[发明专利]一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板

权利要求书

1.一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，应用在双面电极芯片上，其具体步骤包括：

对铜支架进行双面蚀刻，形成通孔；

将所述双面电极芯片安装在所述通孔处；

第一绝缘层压合在所述双面电极芯片的上方；

对所述铜支架进行单边蚀刻，形成铜柱；

第二绝缘层压合在所述双面电极芯片的下方，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相连接以形成第三绝缘层，所述第三绝缘层包裹着所述铜柱和所述双面电极芯片；

对所述第三绝缘层进行双面蚀刻，形成设置在所述铜柱处的铜柱盲孔部和设置在所述双面电极芯片的芯片盲孔部；

对所述铜支架盲孔部和所述芯片盲孔部进行电镀填孔，形成第一重布线层和第二重布线层，对所述第一重布线层进行切割，所述第一重布线层通过所述铜柱与所述第二重布线层连通。

2.根据权利要求1所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，对铜支架进行双面蚀刻，形成通孔步骤之后，还包括：

在所述通孔的下方安装支撑板。

3.根据权利要求2所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，第一绝缘层压合在所述双面电极芯片的上方步骤之后，还包括：

移除所述支撑板。

4.根据权利要求1所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，所述第三绝缘层包括从上到下排列的第一铜箔层、绝缘材料层和第二铜箔层。

5.根据权利要求4所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括从上到下排列的所述第一铜箔层和所述绝缘材料层的上半部，所述第二绝缘层包括从上到下排列的所述绝缘材料层的下半部和所述第二铜箔层。

6.根据权利要求1所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，对铜支架进行双面蚀刻，形成通孔步骤包括：

在所述铜支架上贴干膜；

将所述干膜暴露，直到其处于显影状态；

对所述铜支架进行双面蚀刻，形成通孔；

将所述干膜从所述铜支架处脱离。

7.根据权利要求1所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，所述第一重布线层包括设置在第一盲孔内的第一金属层和设置在第二盲孔内的第二金属层。

8.根据权利要求7所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，所述第一金属层与双面电极芯片的一电极电连接，所述第二金属层通过所述第二重布线层与所述双面电极芯片的另一电极电连接。

9.根据权利要求1所述的一种应用在双面电极芯片的重布线方法，其特征在于，对所述铜支架盲孔部和所述芯片盲孔部进行电镀填孔，形成第一重布线层和第二重布线层步骤之后，包括：

对芯板进行包装，并对该芯板镀金。

10.一种芯板，其特征在于，包括：

绝缘层；

铜柱，所述铜柱嵌入在所述绝缘层的内部；

双面电极芯片，所述双面电极芯片嵌入在所述绝缘层的内部；

第一盲孔，所述第一盲孔设置在所述铜柱的上方；

第二盲孔，所述第二盲孔设置在所述铜柱的下方；

第三盲孔，所述第三盲孔设置在所述双面电极芯片的上方，且与所述双面电极芯片的一电极电连接；

第四盲孔，所述第四盲孔设置在所述双面电极芯片的下方；

金属层，所述第一盲孔、所述第二盲孔、所述第三盲孔和所述第四盲孔均被所述金属层填充，且所述第一盲孔通过铜柱和金属层与所述双面电极芯片的另一电极电连接。