[发明专利]一种提高成品异质结太阳电池效率的方法

说明书

本发明公开了一种提高成品异质结太阳电池效率的方法，所述方法包括如下步骤：首先对电池片进行预热，预热温度为150℃‑220℃，时间为1min‑10min；在预热的同时对电池进行光照处理，光照时间为1min‑10min；光照处理后对电池进行降温，保持温度为100℃‑150℃，然后开始对电池进行通电处理，通电时间为5min‑30min。本发明创造性地将光注入作为激活电子空穴对和缺陷活性的方法，结合电注入，持续地将电子空穴对激发与非晶硅内的氢原子结合形成氢离子，钝化非晶硅与硅片的界面处的缺陷，钝化效果稳定，钝化效果比短时高光强光注入效果好，所需光源和电源的功率要求低，无需高功率光源和电源，综合成本低，适合异质结电池产线生产。

技术领域

本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种提高成品异质结太阳电池效率的方法。

背景技术

随着太阳能电池的发展与应用，高效低成本的电池越来越受市场的欢迎。最近几年平价上网的呼声越来越高，领跑者项目的中标电价已经开始触及发电侧平价时，高效电池的开发已受到各大光伏企业的高度重视。采用非晶硅本征层钝化的硅基异质结(HIT)太阳电池，交叉指式背接触(IBC)太阳电池，以及近年较火的隧穿氧化层背钝化(TOPCon)太阳电池三者并列为未来方向的高效太阳电池。其中，硅基异质结(HIT)电池由于其高开路电压，高转换效率，低温度系数，无光致衰减(LID)和电诱导衰减(PID)等优点成为行业中最具开发潜力的一种高效电池。硅基异质结(HIT)电池还具有制备工艺温度低，工艺步骤少，双面发电特性，可使用超薄硅片等降低成本的方法，很可能成为未来独占市场的光伏产品。

现已有一种适用于异质结太阳能电池的光注入工艺，通过短时高光强(最大80000W/m2250s)的方式对电池进行光注入处理，以钝化硅片与非晶硅界面的缺陷，达到提高电池电性能的目的。但是该工艺所钝化的缺陷状态是不稳定的，随着时间的增加钝化效果会逐渐消失，在组件制作中层压热处理下也会在短时间内失去钝化效果。具体表现为电池静置衰减比例大，或者说在热处理后电池效率下降严重，组件功率不及预期。且该技术要求高光强，灯源造价高，寿命低，技术相对应的设备综合成本高。

现生产的硅基异质结(HIT)电池量产效率已经达到23.5％，60版型的双面玻璃组件功率已达335W以上。但是随着制程工艺的不断改进，效率提升已至瓶颈阶段，而且异质结电池的生产成本也居高不下，大大制约了硅基异质结电池的发展。因此，必须在现有制程工艺以外新增工艺，去进一步提升电池效率及组件功率，同时从各方面降低生产成本，做到平价上网甚至上网电价比现有火电价格更低，才能加快硅基异质结太阳电池的大规模产业化进程。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种对照射灯源和电注入电源要求较低，无需高功率灯源和电源，成本低，适合硅基异质结产线生产的提高成品异质结太阳电池效率的方法。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种提高成品异质结太阳电池效率的方法，所述方法包括如下步骤：

首先对电池片进行预热，预热温度为150℃-220℃，时间为1min-10min；

在预热的同时对电池进行光照处理，光照时间为1min-10min；

光照处理后对电池进行降温，保持温度为100℃-150℃，然后开始对电池进行通电处理，通电时间为5min-30min。

进一步的，所述电池片进行预热的加热方式包括且不限于热风加热、红外加热、电热板加热。

进一步的，所述光照处理的光照灯源使用且不限于LED灯源、卤素灯源，光照强度为5000W/m²-10000W/m²。

进一步的，所述通电处理采用恒流电源，电流恒定为10A-20A。

由上述对本发明结构的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点：