[发明专利]一种HJT非晶硅镀膜后不良片的返工工艺在审

专利信息
申请号: 202110805357.7 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN115621370A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 庄辉虎;许海堂;林烟烟 申请(专利权)人: 福建钜能电力有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 351111 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 hjt 非晶硅 镀膜 不良 返工 工艺
【权利要求书】:

1.一种HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征在于:所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺包含步骤:

P1.1水洗:用纯水进行水洗,洗去不良片表面脏污;

P1.2 CP酸洗:用硝酸和氢氟酸的混合溶液对不良片进行酸洗,去除表面非晶硅薄膜,后用纯水水洗,洗去表面酸液;

P1.3预清洗:用氨水双氧水混合溶液对不良片进行预清洗,洗去杂质和酸残留,后用纯水水洗,洗去表面酸液;

P1.4制绒:重新制绒,制绒时温度降低5-10℃,后用纯水水洗,洗去表面酸液;

P1.5 SC1液清洗:用氨水双氧水混合液对制绒后的硅片进行清洗,后用纯水水洗,洗去表面酸液;

P1.6 SC2液清洗:用盐酸双氧水混合液进行硅片二次清洗,后用纯水水洗,洗去表面酸液;

P1.7氢氟酸洗:使用氢氟酸溶液清洗硅片,达到脱水目的,后用纯水水洗;

P1.8慢提拉:用纯水进行慢提拉;

P1.9烘干:将所得硅片进行烘干处理。

2.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.1水洗步骤中,所述水洗时间为90-240s。

3.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.2 CP酸洗步骤中,所述硝酸和氢氟酸的混合溶液中,硝酸质量分数不低于50%,氢氟酸质量分数为不低于50%,所述清洗时间为60-360s;所述水洗时间为90-240s。

4.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.3预清洗步骤中,所述预清洗液为氨水及双氧水混合溶液,清洗时间为4min-6min;所述水洗时间为90-240s。

5.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.4制绒步骤中,所述制绒时间600-800s,制绒温度70-80℃;所述水洗时间为90-240s。

6.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.5SC1液清洗步骤中,所述SC1为氨水及双氧水的混合药液,氨水质量分数为不低于30%,双氧水质量分数为不低于20%,清洗温度为40-85℃,清洗时间为4min-6min;所述水洗时间为90-240s。

7.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.6SC2液清洗步骤中,所述SC2药液为盐酸及双氧水的混合药液,盐酸质量分数为不低于30%,双氧水质量分数为不低于20%,清洗温度为40-85℃,清洗时间为4min-6min;所述水洗时间为90-240s。

8.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.7氢氟酸洗步骤中,所述氢氟酸药液的质量分数为不低于50%,常温下清洗时间50-200s;所述水洗时间为90-240s。

9.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.8慢提拉步骤中,所述纯水温度30-60℃,清洗时间>30s。

10.根据权利要求1所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺,其特征还在于:所述P1.9烘干步骤中,所述烘干温度为30-90℃,烘干时间为400-720s。

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