[发明专利]一种烃源岩有效性判别方法有效

专利信息
申请号: 202110805678.7 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN113505547B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 陈君青;马奎友;施砍园;庞宏;丛奇 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: G06F30/28 分类号: G06F30/28;G16C10/00;G06F111/10;G06F113/08;G06F119/14
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘静;韩蕾
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 烃源岩 有效性 判别 方法
【权利要求书】:

1.一种烃源岩有效性判别方法,其中,该方法包括:

构建烃源岩液态烃滞留门限计算模型、烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型、烃源岩水溶气态烃滞留门限计算模型和烃源岩油溶气态烃滞留门限计算模型;

获取目标层参数;所述参数包括各滞留门限计算模型中计算各类滞留门限所用的各类参数;

基于获取的目标层参数,分别利用所述烃源岩液态烃滞留门限计算模型、所述烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型、所述烃源岩水溶气态烃滞留门限计算模型和所述烃源岩油溶气态烃滞留门限计算模型,确定目标层的烃源岩液态烃滞留门限、烃源岩吸附气态烃滞留门限、烃源岩水溶气态烃滞留门限和烃源岩油溶气态烃滞留门限;

利用目标层的烃源岩液态烃滞留门限、烃源岩吸附气态烃滞留门限、烃源岩水溶气态烃滞留门限和烃源岩油溶气态烃滞留门限,确定目标层的有效烃源岩滞留门限;

获取目标层的烃源岩残留烃量;

基于目标层的烃源岩残留烃量以及目标层的有效烃源岩滞留门限,判别目标层的烃源岩有效性。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,确定控制烃源岩液态残留烃量的主要因素,根据控制烃源岩液态残留烃量的主要因素构建烃源岩液态烃滞留门限计算模型,包括:

分析烃源岩性质对烃源岩液态残留烃的控制、生烃作用对烃源岩液态残留烃的控制、压力及温度条件对烃源岩液态残留烃的控制、压实作用对烃源岩液态残留烃的控制,确定控制烃源岩液态残留烃量的主要因素,根据控制烃源岩液态残留烃量的主要因素构建烃源岩液态烃滞留门限计算模型;或者

分析密度、孔隙度、镜质体反射率、温度、压力有机质丰度和烃源岩液态残留烃饱和度对烃源岩液态残留烃的控制,确定控制烃源岩液态残留烃量的主要因素,根据控制烃源岩液态残留烃量的主要因素构建烃源岩液态烃滞留门限计算模型。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述烃源岩液态烃滞留门限计算模型为烃源岩液态烃滞留门限关于液态残留烃密度、孔隙度、镜质体反射率、有机质丰度和烃源岩液态残留烃饱和度的计算模型;

所述烃源岩液态烃滞留门限计算模型为:

式中:Hro为单位体积烃源岩液态烃滞留门限,kg/m3;为烃源岩在正常压实状态下的孔隙度,%;为烃源岩在欠压实状态下的剩余孔隙度,%;Som为烃源岩液态残留烃饱和度,%;为烃源岩液态残留烃量与有机质丰度的相关因子,无量纲;C为有机质丰度,%;Ro为镜质体反射率,%;为液态残留烃的密度,kg/m3

4.根据权利要求1所述的方法,其中,确定控制烃源岩吸附气态残留烃量的主要因素,根据控制烃源岩吸附气态残留烃量的主要因素构建烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型,包括:

分析烃源岩性质对烃源岩吸附气态残留烃量的控制、地层压力对烃源岩吸附气态残留烃量的控制、埋藏温度对烃源岩吸附气态残留烃量的控制、气态烃组分对烃源岩吸附气态残留烃量的控制、气态烃浓度对烃源岩吸附气态残留烃量的控制,确定控制烃源岩吸附气态残留烃量的主要因素,根据控制烃源岩吸附气态残留烃量的主要因素构建烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型;或者

分析密度、孔隙度、镜质体反射率、温度和压力、对烃源岩液态残留烃的控制,确定控制烃源岩吸附气态残留烃量的主要因素,根据控制烃源岩吸附气态残留烃量的主要因素构建烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型。

5.根据权利要求1或4所述的方法,其中,所述烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型为烃源岩吸附气态烃滞留门限关于镜质体反射率、地层温度、有机质丰度和烃源岩在正常压实状态下的孔隙度的计算模型;

所述烃源岩吸附气态烃滞留门限计算模型为:

式中:Hrag为单位体积烃源岩吸附气态烃滞留门限,kg/m3;为烃源岩在正常压实状态下的孔隙度,%;T为地层温度,℃;Ro为镜质体反射率,%。

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