[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底和叠层结构及电容单元，叠层结构包括支撑层；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖叠层结构的顶面；在第一掩膜层形成第一开口，第一开口暴露出叠层结构的顶面，其中，第一开口在衬底上的投影区域与电容单元在衬底上的投影区域至少部分重合；形成遮挡结构，遮挡结构位于第一开口中，遮挡结构覆盖第一开口的侧壁；根据遮挡结构定义的图案，去除部分支撑层，被保留的部分支撑层形成电容单元的支撑结构。在本公开中，仅保留遮挡结构覆盖的部分支撑层的作为支撑结构，减少支撑结构在半导体结构中占用的空间。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

随着动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)集成度提高，存储节点的尺寸和极板面积持续下降，但对DRAM的电荷存储能力的需求也更高。

目前为满足DRAM的电荷存储能力，不断增高DRAM的高度。DRAM越来越高，导致DRAM容易更容易倾倒。为了减小DRAM倾倒的风险，需要在电容结构的中上层区域采用支撑层。但是随着支持层厚度的增加，占用电容结构的空间，影响电容结构的电荷存储能力。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

本公开的第一方面提供一种半导体结构的制作方法，所述方法包括：

提供初始结构，初始结构包括衬底和形成于所述衬底上的叠层结构，以及形成于所述叠层结构中的电容单元，所述叠层结构包括支撑层；

形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述叠层结构的顶面；

在所述第一掩膜层形成第一开口，所述第一开口暴露出所述叠层结构的顶面，其中，所述第一开口在所述衬底上的投影区域与所述电容单元在所述衬底上的投影区域至少部分重合；

形成遮挡结构，所述遮挡结构位于所述第一开口中，所述遮挡结构覆盖所述第一开口的侧壁；

根据所述遮挡结构定义的图案，去除部分所述支撑层，被保留的部分所述支撑层形成所述电容单元的支撑结构。

根据本公开的一些实施例，所述在所述第一掩膜层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述初始结构的顶面，包括：

在所述第一掩膜层上形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层定义第一图案；

根据所述第一图案，去除所述第一掩膜层，暴露出所述叠层结构的顶面，形成所述第一开口。

根据本公开的一些实施例，所述第一开口在所述衬底上的投影区域与多个所述电容单元在所述衬底上的多个投影区域均存在部分重合。

根据本公开的一些实施例，所述第一开口在所述衬底上的投影区域覆盖多个所述电容单元在所述衬底上的多个投影区域。

根据本公开的一些实施例，所述形成遮挡结构，包括：

沿所述第一掩膜层的厚度方向，在所述第一开口的侧壁沉积遮挡材料，得到所述遮挡结构。

根据本公开的一些实施例，在形成遮挡结构之后，并在去除部分所述支撑层之前，所述方法还包括：

去除所述第一掩膜层。

根据本公开的一些实施例，所述提供初始结构包括：

提供衬底，所述衬底中形成有电容接触区；

在所述衬底上交替形成介质层和支撑层，形成初始叠层结构；