[发明专利]一种IWO靶材及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110805830.1 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113548872A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 刘永成;陈明飞;郭梓旋;徐胜利;江长久;陈明高;莫国仁;王志杰;李跃辉 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/35;C23C14/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 iwo 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种IWO靶材，其特征在于：
包含氧化铟和氧化钨；
所述氧化钨的含量以W/(In+W)的原子数比计为0.1～0.15；
所述IWO靶材的密度为6.5g/cm3～7.18g/cm3。
2.根据权利要求1所述的一种IWO靶材，其特征在于：还包括第一掺杂元素和第二掺杂元素M中的至少一种；所述第一掺杂元素为硅和钛中的至少一种；优选地，所述第二掺杂元素M为钼、锆和铪中的至少一种；钨与第二掺杂元素M的总含量以(W+M)/(In+W+M)的原子数计为0.003～0.05。
3.根据权利要求2所述的一种IWO靶材，其特征在于：当所述IWO靶材中含有硅元素时，所述硅元素与所述IWO靶材的总质量比为200ppm～1500ppm；优选地，所述硅元素与所述IWO靶材的总质量比为1000ppm～1500ppm。
4.根据权利要求1所述的一种IWO靶材，其特征在于：当所述IWO靶材中含有钛元素时，所述钛元素与所述IWO靶材的总质量比为0.1％～0.6％；优选地，所述钛元素与所述IWO靶材的总质量比为0.3％～0.6％。
5.一种制备如权利要求2所述IWO靶材的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、将氧化铟和氧化钨的混合物和所述掺杂元素的氧化物，混合后压制成块状体；
S2、将所述块状体冷等静压处理后烧结，即得所述IWO靶材；
其中，所述氧化铟和氧化钨的混合物，制备方法包括化学共沉淀法。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述化学共沉淀法包括以下步骤：
将铟原料液和钨原料液混合，添加pH调节剂，调节pH至7.7～8.6反应，反应完成后，固液分离，收集固相，将所述固相干燥，煅烧，得所述氧化铟钨粉体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述煅烧的温度为200℃～900℃。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述冷等静压处理的工艺参数如下：
气氛为氧气；压力为0.1MPa～0.3MPa。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述烧结的温度为1450℃～1550℃。
10.一种如权利要求7所述的IWO靶材在制备太阳能电池中的应用。
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