[发明专利]双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台

说明书

本发明提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要包括一反应腔体、一承载盘及一双层式遮蔽构件，其中部分的双层式遮蔽构件及承载盘位于反应腔体内。双层式遮蔽构件包括一第一遮蔽板、一第一保护板、一第二遮蔽板、一第二保护板及一驱动装置，其中驱动装置连接第一及第二遮蔽板，并驱动第一及第二遮蔽板朝相反方向摆动。在进行清洁制程时，驱动装置会带动第一及第二遮蔽板相互靠近。第一及第二保护板分别设置在第一及第二遮蔽板的表面，其中第一及第二保护板与第一及第二遮蔽板之间存在一间隔，可防止第一及第二遮蔽板发生高温变形，以提高遮蔽的效果。

技术领域

本发明有关于一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要通过双层式遮蔽构件遮挡承载盘，以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。

背景技术

化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。

沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。

腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。

在经过一段时间的使用后，腔体的内表面会形成沉积薄膜，因此需要周期性的清洁腔体，以避免沉积薄膜在制程中掉落，进而污染晶圆。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他污染物，因此同样需要周期性的清洁靶材。一般而言，通常会通过预烧(burn-in)制程，以电浆离子撞击腔体内的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他污染物。

在进行上述清洁腔体及靶材时，需要将腔体内的晶圆承载盘及晶圆取出，或者隔离晶圆承载盘，以避免清洁过程中污染晶圆承载盘及晶圆。

发明内容

一般而言，薄膜沉积机台在经过一段时间的使用后，通常需要进行清洁，以去除腔室内沉积的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清洁的过程中产生的微粒会污染承载盘，因此需要隔离承载盘及污染物。本发明提出一种双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要通过驱动装置带动两个遮蔽板朝相反方向摆动，使得两个遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态。两个遮蔽板朝向靶材的表面上分别设置一保护板，其中保护板用以保护遮蔽板以避免清洁过程中产生的高温或高温物质损害遮蔽板。

本发明的一目的，在于提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，主要包括一反应腔体、一承载盘及一双层式遮蔽构件。双层式遮蔽构件包括一驱动装置、两个遮蔽板及两个保护板，其中驱动装置连接两个遮蔽板，而保护板则设置在遮蔽板朝向靶材的表面上。

在清洁反应腔体时，两个驱动装置分别带动两个遮蔽板以摆动的方式相互靠近，并通过两个遮蔽板遮挡容置空间内的承载盘，以避免清洁过程中使用的电浆或产生的污染接触承载盘。在进行沉积制程时，两个驱动装置分别带动两个遮蔽板以摆动的方式相互远离，并可对反应腔体内的基板进行薄膜沉积。

当两个遮蔽板操作在遮蔽状态时，设置在遮蔽板上两个保护板亦会相互靠近，并用遮挡两个遮蔽板。此外，保护板与遮蔽板之间具有一间隔，可有效隔离遮蔽板与清洁过程中产生的高温或高温物质，以降低遮蔽板受热变形的机会。

本发明的一目的，在于提供一种具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台，其中操作在遮蔽状态的两个遮蔽板之间具有一第一间隙，而设置在遮蔽板上的两个保护板之间则具有一第二间隙。两个遮蔽板之间的第一间隙与两个保护板之间的第二间隙彼此错开，使得操作在遮蔽状态的保护板及遮蔽板可有效阻隔靶材及承载盘，以避免清洁过程中产生的污染物接触承载盘。