[发明专利]天线结构在审
申请号: | 202110806499.5 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN114024128A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 詹钧丞;刘适嘉;余晏豪;李丽君;赖瑞宏;林志衡 | 申请(专利权)人: | 仁宝电脑工业股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 贺财俊;臧建明 |
地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 结构 | ||
1.一种天线结构,其特征在于,包括:
接地面;
第一耦合天线,包括连接于所述接地面的第一激发源,其中所述第一激发源用以激发第一共振模态,且所述第一耦合天线因应于所述第一共振模态而在所述接地面形成第一电流零点区域;以及
参考天线,包括连接于所述接地面的第二激发源,其中所述第二激发源用以激发第二共振模态,且所述参考天线因应于所述第二共振模态而在所述接地面形成第二电流零点区域,其中所述第一激发源位于所述第二电流零点区域中,所述第二激发源位于所述第一电流零点区域中。
2.根据权利要求1所述的天线结构,其中所述第一耦合天线还包括:
第一辐射体,其连接于所述接地面;以及
第一馈入部,其通过所述第一激发源连接至所述接地面,其中所述第一馈入部耦合至所述第一辐射体而激发所述第一共振模态,并在所述第一辐射体上形成第一电流,其中所述第一电流流入所述接地面以形成第一地电流。
3.根据权利要求2所述的天线结构,其中所述参考天线还包括:
第二辐射体,其中所述第二辐射体及所述接地面因应于所述第一电流而产生第一耦合电流,且所述接地面的所述第一耦合电流的部分抵销所述第一地电流的部分而形成所述接地面上的所述第一电流零点区域。
4.根据权利要求3所述的天线结构,其中所述第一辐射体因应于所述第一电流而至少具有第一电流强区及第一电流弱区,所述第二辐射体因应于所述第一耦合电流而至少具有第二电流强区及第二电流弱区,其中所述第一电流弱区在所述接地面上的垂直投影至少部分重叠于所述第二电流弱区在所述接地面上的垂直投影。
5.根据权利要求4所述的天线结构,其中所述第一电流强区在所述接地面上的垂直投影至少部分重叠于所述第二电流强区在所述接地面上的垂直投影。
6.根据权利要求4所述的天线结构,其中所述第一辐射体与所述第二辐射体之间存在第一距离,所述第一激发源与所述第二激发源之间存在第二距离,且所述第一距离不大于所述第二距离。
7.根据权利要求1所述的天线结构,其中所述参考天线还包括:
第二辐射体,其经由所述第二激发源激发所述第二共振模态而形成流动于所述第二辐射体上的第二电流,其中所述接地面因应于所述第二电流而形成第二地电流。
8.根据权利要求7所述的天线结构,其中所述第一耦合天线还包括:
第一馈入部,其通过所述第一激发源连接至所述接地面;
第一辐射体,其连接于所述接地面,其中所述第一辐射体因应于所述第二电流而形成流动于所述第一辐射体及所述接地面上的第二耦合电流,且流动于所述接地面的所述第二耦合电流的部分抵销所述第二地电流的部分而形成所述接地面上的所述第二电流零点区域。
9.根据权利要求8所述的天线结构,其中所述参考天线为第二耦合天线,且所述参考天线还包括:
第二馈入部,其连接于所述第二激发源,并通过所述第二激发源连接至所述接地面,其中所述第二馈入部耦合至所述第二辐射体而激发所述第二共振模态,并在所述第二辐射体上形成所述第二电流。
10.根据权利要求9所述的天线结构,其中所述第一辐射体为1/4波长共振结构,所述第二辐射体为双端开路的1/2波长共振结构,且所述第二辐射体的基频共振频率相同于所述第一辐射体的基频共振频率。
11.根据权利要求9所述的天线结构,其中所述第一辐射体为1/4波长共振结构,所述第二辐射体为双端短路的1/2波长共振结构,且所述第二辐射体的基频共振频率相同于所述第一辐射体的基频共振频率。
12.根据权利要求9所述的天线结构,其中所述第一辐射体为1/4波长共振结构,所述第二辐射体为1/4波长共振结构,且所述第二辐射体的倍频共振频率相同于所述第一辐射体的基频共振频率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于仁宝电脑工业股份有限公司,未经仁宝电脑工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110806499.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。