[发明专利]一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法有效
申请号: | 202110806618.7 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113529056B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 张建星;郑礼英 | 申请(专利权)人: | 中科微光子科技(成都)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/458 |
代理公司: | 成都言成诺知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51314 | 代理人: | 幸凯 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用以 制备 无源 器件 自动化 设备 方法 | ||
1.一种用以制备无源器件的自动化设备,包括:
工作台(1),用于提供设备放置的容置空间;
其特征在于,所述工作台(1)还包括有:
反应腔(2),位于工作台(1)的顶部,用于提供制备无源器件的密闭空间;反应腔(2)具有两个,两个反应腔(2)内均设有固定组件(3)和旋转组件(4),固定组件(3)位于反应腔(2)的底部,用于固定无源器件的半导体衬底;
旋转组件(4)位于固定组件(3)的底部,用于驱动固定组件(3)转动;
制备机构(5),所述制备机构(5)包括第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b),第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)分别位于两个反应腔(2)的顶部,
第一制备组件(5a)用于在反应腔(2)充入化学气体,在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层;
第二制备组件(5b)用于在反应腔(2)充入化学气体,在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层,从而获得无源器件样品;
所述反应腔(2)为圆筒状结构,反应腔(2)分为腔体(2a)和盖体(2b),盖体(2b)的一侧设有连接轴(2b1),盖体(2b)通过连接轴(2b1)与工作台(1)轴接,盖体(2b)的连接轴(2b1)的上方设有拉手(2b3),拉手(2b3)与盖体(2b)轴接,工作台(1)内轴接有直线驱动器(2c),直线驱动器(2c)的输出轴与拉手(2b3)轴接,盖体(2b)上远离拉手(2b3)的一侧设有把手(2b2),盖体(2b)与腔体(2a)之间设置有密封圈,用于密封所述腔体(2a),盖体(2b)的顶部设有与第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)相互匹配的进气孔(2b4);
所述固定组件(3)为一个圆盘状的承载台(3a),承载台(3a)的内部为空心结构,承载台(3a)的上方设有若干个通孔(3b),承载台(3a)的内部通过与外部风机连接。
2.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备,其特征在于,所述旋转组件(4)包括旋转驱动器(4a)和旋转轴(4b),工作台(1)内水平设置有隔板(4c),旋转驱动器(4a)位于工作台(1)的隔板(4c)上,旋转轴(4b)位于旋转驱动器(4a)上方,且旋转驱动器(4a)的输出轴与旋转轴(4b)固定连接,旋转轴(4b)远离旋转驱动器(4a)的一端与固定组件(3)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备,其特征在于,所述第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)的结构完全一致,均包括制备筒(5a1)、气管(5a2)、原料罐(5a3)和喷嘴(5a4),原料罐(5a3)具有若干个,所有原料罐(5a3)均位于工作台(1)的旁侧,制备筒(5a1)位于反应腔(2)的顶部,制备筒(5a1)的顶部设有若干个制备孔,喷嘴(5a4)位于制备筒(5a1)的底部,气管(5a2)位于原料罐(5a3)和制备孔之间。
4.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备,其特征在于,所述工作台(1)内还设有真空组件(7),真空组件(7)包括真空泵(7a)和管道(7b),真空泵(7a)位于工作台(1)的内部,腔体(2a)的底部设有抽气孔(7c),两个反应腔(2)的抽气孔(7c)和真空泵(7a)之间通过管道(7b)连接,用于将反应腔(2)内的气体抽走。
5.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备,其特征在于,所述工作台(1)的旁侧还设有废气处理装置(6),用于将制备机构(5)产生的废气排出并处理,盖体(2b)的边缘上设有出气孔(6b),废气处理装置(6)通过废气管(6a)(5a2)与盖体(2b)的出气孔(6b)连接。
6.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备,其特征在于,所述承载台(3a)的下方还设有加热片(8a),加热片(8a)上也开设有圆孔(8b)与通孔(3b)相互匹配,加热片(8a)用于对承载台(3a)进行加热,加热片(8a)与外部电源连接。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的