[发明专利]一种超宽带可调超表面吸波体单元、贴片阵列及控制方法在审

专利信息
申请号: 202110807154.1 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN113555696A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 冯奎胜;李娜;李桐;林伟 申请(专利权)人: 阳光学院
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00;H01Q15/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 赵逸宸
地址: 350015 福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 可调 表面 吸波体 单元 阵列 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种超宽带可调超表面吸波体单元,其特征在于:包括介质基板(1);

所述介质基板(1)的底面为完整的金属板,顶面上设置有金属贴片,金属贴片包括两个第一金属贴片(2)和一个第二金属贴片(3);

所述第一金属贴片(2)呈矩形,所述第二金属贴片(3)呈梯形,两个所述第一金属贴片(2)和一个所述第二金属贴片(3)依次沿介质基板(1)的中线设置,相邻金属贴片间留有间隙,其中,位于外侧一个第一金属贴片(2)的长边与介质基板(1)的一个侧边对齐,第二金属贴片(3)的下底与介质基板(1)的另一个侧边对齐;

两个所述第一金属贴片(2)之间串联有变容二极管(4),位于中部的第一金属贴片(2)和第二金属贴片(3)之间串联有开关二极管(5);

位于外侧的所述第一金属贴片(2)通过高阻抗偏置线与直流电压源的一个正极相连,位于中部的所述第一金属贴片(2)通过高阻抗偏置线与直流电压源的负极相连,所述第二金属贴片(3)通过高阻抗偏置线直流电压源的另一个正极相连。

2.如权利要求1所述一种超宽带可调超表面吸波体单元,其特征在于:所述介质基板(1)采用FR4板材,相对介电常数为4.4。

3.如权利要求1或2所述一种超宽带可调超表面吸波体单元,其特征在于:

所述介质基板(1)的损耗角正切为0.02;

所述介质基板(1)的厚度为0.5mm,表面呈正方形,边长为11mm。

4.如权利要求3所述一种超宽带可调超表面吸波体单元,其特征在于:

位于外侧的第一金属贴片(2)呈正方形,边长为4mm;

位于中部的第一金属贴片(2)的长边边长为4mm,短边边长为3.5mm,且其长边与各金属贴片的设置方向垂直。

5.如权利要求4所述一种超宽带可调超表面吸波体单元,其特征在于:

所述第二金属贴片(3)的上底长度为4mm,下底长度为6mm,高度为1.8mm。

6.一种贴片阵列,其特征在于:包括多个呈矩阵排布的超表面吸波体单元(6);

所述超表面吸波体单元(6)包括介质基板(1);所述介质基板(1)的底面为完整的金属板,顶面上设置有两个第一金属贴片(2)和一个第二金属贴片(3);所述第一金属贴片(2)呈矩形,所述第二金属贴片(3)呈梯形,两个所述第一金属贴片(2)和一个所述第二金属贴片(3)依次沿介质基板(1)的中线设置,相邻金属贴片间留有间隙,其中,一个第一金属贴片(2)的长边与介质基板(1)的一个侧边对齐,第二金属贴片(3)的下底与介质基板(1)的另一个侧边对齐;两个所述第一金属贴片(2)之间串联有变容二极管(4),位于中部的第一金属贴片(2)和第二金属贴片(3)之间串联有开关二极管(5);

各超表面吸波体单元(6)中位于外侧的第一金属贴片(2)通过高阻抗偏置线相连,并连接于直流电压源的一个正极,各超表面吸波体单元(6)中位于中部的第一金属贴片(2)通过高阻抗偏置线相连,并连接于直流电压源的负极,各超表面吸波体单元(6)中的第二金属贴片(3)通过高阻抗偏置线相连,并连接于直流电压源的另一个正极。

7.如权利要求6所述一种贴片阵列,其特征在于:所述介质基板(1)采用FR4板材,相对介电常数为4.4。

8.如权利要求6或7所述一种贴片阵列,其特征在于:

所述介质基板(1)的损耗角正切为0.02;

所述介质基板(1)的厚度为0.5mm,表面呈正方形,边长为11mm。

9.如权利要求8所述一种贴片阵列,其特征在于:

位于外侧的第一金属贴片(2)呈正方形,边长为4mm;

位于中部的第一金属贴片(2)的长边边长为4mm,短边边长为3.5mm,且其长边与各金属贴片的设置方向垂直;

所述第二金属贴片(3)的上底长度为4mm,下底长度为6mm,高度为1.8mm。

10.一种权利要求6至9任一所述贴片阵列的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,根据实际需要,确定贴片阵列所需吸波峰值对应的频率;

S2,断开或导通所述开关二极管(5);

若所需吸波峰值对应的频率在第一频段内,则断开所述开关二极管(5);

若所需吸波峰值对应的频率在第二频段内,则导通所述开关二极管(5);

所述第一频段的上限值为第一频段和第二频段合集的上限值,第二频段的下限值为第一频段和第二频段合集的下限;

S3,调节变容二极管(4)的容值;

所述吸波峰值对应的频率与所述变容二极管(4)的容值成反比。

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