[发明专利]一种量子点光电探测器以及制备方法

权利要求书

1.一种量子点光电探测器，其特征在于，所述量子点光电探测器包括基底、量子点层和顶电极层；

所述量子点层位于所述基底的上方；

所述顶电极层位于所述量子点层的上方；

所述顶电极层为整面化的形状。

2.根据权利要求1所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述基底选自硅片、CMOS电路底板、氧化铟锡基底中的任一种；

优选地，所述量子点层包括量子点；

所述量子点选自PbS、PbSe、HgTe中的任一种；

优选地，所述量子点层形成了图案化的像素点；

优选地，所述顶电极层选自ITO电极层、AZO电极层中的任一种。

3.根据权利要求1所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述量子点光电探测器还包括电荷传输层；

所述电荷传输层位于量子点层和顶电极层之间；或者，

所述电荷传输层位于基底和量子点层之间；

优选地，所述电荷传输层选自ZnO层、SnO层中的任一种。

4.根据权利要求1所述的量子点光电探测器，其特征在于，所述量子点光电探测器由下至上依次包括基底、量子点层、顶电极层；

优选地，所述量子点光电探测器由下至上依次包括基底、量子点层、电荷传输层、顶电极层；

优选地，所述量子点光电探测器由下至上依次包括基底、电荷传输层、量子点层、顶电极层。

5.一种权利要求1至4任一项所述量子点光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：

a)获得量子点；

b)将所述量子点配制为量子点浆料；

c)将所述量子点浆料直接或间接旋涂在基底上，得到量子点层；

d)将顶电极层直接或间接附着在所述量子点层上，得到顶电极层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)包括：

b-1)将所述量子点与物料a在有机溶剂Ⅰ中混合，得到配体溶液；

所述物料a为PbI₂和PbBr₂的混合物，或者所述物料a为PbI₂、PbCl₂和PbBr₂的混合物；

b-2)向所述配体溶液中加入乙酸乙酯或甲苯，反应，离心，得到固态粉末；

b-3)将所述固态粉末加入有机溶剂Ⅱ中混合，得到所述量子点浆料；

优选地，步骤c)中，所述将所述量子点浆料间接旋涂在基底上，包括：

将电荷传输层直接附着在所述基底上，之后将所述量子点浆料旋涂在所述电荷传输层上；

优选地，步骤d)中，所述将顶电极层间接附着在所述量子点层上，包括：

将电荷传输层直接附着在所述量子点层上，之后将所述顶电极层附着在电荷传输层上；

优选地，所述制备方法包括方法一、方法二或者方法三中的任一种；

方法一：

1-1)将量子点浆料直接旋涂在基底上，得到附着有量子点层的基底；

1-2)之后顶电极层直接附着在所述量子点层上，得到所述量子点光电探测器；

方法二：

2-1)将量子点浆料直接旋涂在基底上，得到附着有量子点层的基底；

2-2)将电荷传输层直接附着在所述量子点层上；

2-3)将顶电极层直接附着在所述电荷传输层上，得到所述量子点光电探测器；

方法三：

3-1)将电荷传输层直接附着在基底上；

3-2)将量子点浆料直接旋涂在所述电荷传输层上，得到量子点层；

3-3)将顶电极层直接附着在所述量子点层上，得到所述量子点光电探测器。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤c)中，将所述量子点浆料直接或间接旋涂在基底上以后，在60-90℃的条件下退火8～12min，即可得到所述量子点层。