[发明专利]处理腔室的漏率侦测方法和装置

权利要求书

1.一种处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述处理腔室用于加工基板，所述方法包括：

在所述处理腔室中，对固定在静电吸盘上的所述基板进行加工处理之后，通过氩气等离子体释放所述静电吸盘与所述基板之间的电荷；

在释放所述电荷的过程中，实时获取所述处理腔室中官能基的发射光谱，所述发射光谱用于表示所述官能基的波长与所述官能基的强度之间的关系；

根据所述发射光谱确定所述波长在640纳米至660纳米之间的第一强度和所述波长在490纳米至510纳米之间的第二强度；

计算所述第一强度与所述第二强度的比值，侦测所述处理腔室的漏率。

2.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述第一强度与所述第二强度的比值小于预设阈值，则判定所述处理腔室工作正常；

若所述第一强度与所述第二强度的比值大于或等于所述预设阈值，则判定所述处理腔室工作异常，并对所述异常发出警报。

3.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述第一强度与所述第二强度的所述比值作为所述处理腔室的泄露程度进行输出。

4.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述加工处理为对固定在所述静电吸盘上的所述基板进行干法刻蚀处理。

5.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述发射光谱的波长采集范围为100纳米至1000纳米。

6.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述第一强度为所述波长在640纳米至660纳米之间的最大强度，所述第二强度为所述波长在490纳米至510纳米之间的最大强度。

7.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述第一强度为所述波长在640纳米至660纳米之间的平均强度，所述第二强度为所述波长在490纳米至510纳米之间的平均强度。

8.根据权利要求2所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述第一强度与所述第二强度的所述比值大于或等于所述预设阈值，则输出对所述基板进行加工处理时，所述处理腔室的工作参数，所述工作参数用于确定所述处理腔室工作异常的原因。

9.根据权利要求2所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述第一强度与所述第二强度的所述比值大于或等于所述预设阈值，则停止运行所述处理腔室中用于对所述基板进行加工处理的装置。

10.根据权利要求2所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取在所述处理腔室中对至少两个第一基板分别进行加工处理之后，所述波长在640纳米至660纳米之间的第三强度和所述波长在490纳米至510纳米之间的第四强度，所述第一基板为加工处理之后的可用基板；

针对每个第一基板，确定所述第一基板对应的所述第三强度和所述第一基板对应的所述第四强度之间的第一比值；

将最大的所述第一比值确定为所述预设阈值。

11.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述静电吸盘与射频功率源连接，所述处理腔室中还设置有气体喷射装置，所述气体喷射装置与所述射频功率源连接或接地，所述静电吸盘和所述气体喷射装置之间形成射频电场，所述射频电场用于将所述气体喷射装置喷射的气体电离为等离子体。

12.根据权利要求1所述的处理腔室的漏率侦测方法，其特征在于，所述静电吸盘用于通过电荷相互作用将所述基板固定在所述静电吸盘上，所述静电吸盘的电荷和所述基板的电荷极性相反。