[发明专利]一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法有效
申请号: | 202110808994.X | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113539861B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 蔺光磊 | 申请(专利权)人: | 芯知微(上海)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 201600 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 异构裸片 系统集成 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,包括:
提供晶圆片,所述晶圆片中形成有多个第一裸片,所述第一裸片顶部形成有外接焊线板和第一焊线板;
在所述第一裸片上、所述第一焊线板远离所述外接焊线板的一侧形成第一可固化粘接层;
提供多个第二裸片,所述第二裸片上形成有第二焊线板;
将所述第二裸片粘接在所述第一裸片上的所述第一可固化粘接层上,所述第二裸片上的所述第二焊线板与所述第一裸片上的所述第一焊线板隔空垂直相对,在所述第一裸片上的所述第一焊线板与所述第二裸片上的所述第二焊线板之间形成空腔;
在所述空腔内形成导电互连结构;
沿各个所述第一裸片与所述晶圆片之间的分割区域切割粘接有所述第二裸片的所述第一裸片;
与所述第一裸片上的所述外接焊线板形成外接互连线;
胶封所述第一裸片的顶面和所述第二裸片的侧面;
在所述第一裸片上、所述第一焊线板远离所述外接焊线板的一侧形成第一可固化粘接层之前,还包括:在所述外接焊线板上形成介质覆盖层;
在所述空腔内形成导电互连结构之前,还包括:去除所述外接焊线板上的所述介质覆盖层;
所述介质覆盖层的材料为聚酰亚胺或高含碳介质,去除所述介质覆盖层的方法包括等离子气体氧化和/或氮化;
在所述空腔内形成导电互连结构同时,还包括:在所述外接焊线板上形成外接焊线凸片;
通过电镀工艺在所述空腔内形成金属镀层,通过干法刻蚀或者研磨工艺对空腔外的金属镀层进行刻蚀或研磨形成导电互连结构。
2.根据权利要求1所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,所述空腔形成于所述第一裸片、所述第一裸片上的所述第一焊线板、所述第一可固化粘接层、所述第二裸片以及所述第二裸片上的所述第二焊线板之间。
3.根据权利要求2所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,在所述空腔内形成导电互连结构包括:通过电镀工艺在所述空腔内形成所述导电互连结构。
4.根据权利要求3所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,所述导电互连结构的材料包括铜、镍、锌、锡、银、金、钨和镁中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,形成所述外接焊线凸片的方法包括:通过电镀工艺在所述外接焊线板上形成所述外接焊线凸片。
6.根据权利要求1所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,在沿各个所述第一裸片与所述晶圆片之间的分割区域切割粘接有所述第二裸片的所述第一裸片之后,还包括:将所述第一裸片的底端键合在印刷电路基板上。
7.根据权利要求6所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,将所述第一裸片的底端键合在印刷电路基板上包括:在所述印刷电路基板上形成第二可固化粘接层,将所述第一裸片的底面粘接在所述第二可固化粘接层上。
8.根据权利要求1所述的异构裸片系统集成芯片的制作方法,其特征在于,在所述第一裸片的底端粘接在所述印刷电路基板之后,还包括:在所述外接焊线板上的所述外接焊线凸片和所述印刷电路基板之间形成外接互连线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯知微(上海)电子科技有限公司,未经芯知微(上海)电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110808994.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造