[发明专利]一种具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括衬底(208)，设置在衬底(208)上的缓冲层(207)，设置在缓冲层(207)上的沟道层(206)，设置在沟道层(206)上的势垒层(205)，设置在势垒层(205)上的钝化层(204)，设置在势垒层(205)和钝化层(204)一端的源极(201)，设置在势垒层(205)和钝化层(204)另一端的漏极(203)，设置在钝化层(204)中的栅极(202)，嵌在钝化层(204)且表面与钝化层(204)表面齐平的沟槽源极场板(209)，所述沟槽源极场板(209)与源极(201)相连，所述沟槽源极场板(209)位于源极(201)和栅极(202)之间或者栅极(202)和漏极(203)之间。

2.根据权利要求1所述的具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，当沟槽源极场板(209)位于栅极(202)与漏极(203)之间时，栅极(202)与沟槽源极场板(209)距离为L_GF，范围为0μmL_GF≤L_GD-W_FP，其中，L_GD为栅极(202)与漏极(203)距离，W_FP为沟槽源极场板(209)长度，沟槽源极场板(209)长度W_FP范围为0μmW_FPL_GD；

当沟槽源极场板(209)位于源极(201)与栅极(202)之间时，栅极(202)与沟槽源极场板(209)距离为L_GF，范围为0μmL_GF≤L_SG-W_FP，其中，L_SG为源极(201)和栅极(202)之间的距离，W_FP为沟槽源极场板(209)长度，沟槽源极场板(209)的长度范围为0μmW_FPL_SG。

3.根据权利要求1所述的具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟槽极场板(209)厚度H_FP范围为0μmH_FP≤T_Pass，式中，T_Pass为钝化层(204)的厚度。

4.根据权利要求1所述的具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟槽极场板(209)与势垒层(205)之间的距离L_FA范围为0μm≤L_FAT_Pass-H_FP，式中，T_Pass为钝化层(204)的厚度，H_FP为沟槽源极场板(209)厚度。

5.根据权利要求1所述的具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述势垒层(205)采用AlGaN，AlGaN中Al组分的摩尔量范围为0—1，掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度为范围为1×10¹⁶—1×10¹⁹cm^-3，厚度T_barrier范围为0—1μm。

6.根据权利要求1所述的具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟道层(206)掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度为范围为1×10¹⁶—1×10¹⁹cm^-3，厚度T_channel范围为0—1μm。

7.根据权利要求1所述的具有沟槽源极场板的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述缓冲层(207)掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度范围为1×10¹⁶—1×10¹⁸cm^-3，厚度T_buffer范围为0—4μm。