[发明专利]一种模斑转换器的制作方法及模斑转换器在审
| 申请号： | 202110810706.4 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113534344A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王亮;蒋凯;蒋忠君;张博健 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B6/138 | 分类号： | G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132;G02B6/122;G02B6/124;G02B6/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 转换器 制作方法 | ||
1.一种模斑转换器的制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长保护层；
在所述保护层上定义楔形结构区域；
在所述楔形结构区域，通过一次接触式曝光得到光栅式结构，
其中，所述光栅式结构为以下任意一种结构：
所述光栅式结构包括间隔设置的至少三个曝光区条形结构和两个非曝光区条形结构，且相邻所述非曝光区条形结构的宽度相等，相邻所述曝光区条形结构的宽度自左向右依次增大或减小；
所述光栅式结构包括间隔设置的至少三个非曝光区条形结构和两个曝光区条形结构，且相邻所述曝光区条形结构的宽度相等，相邻所述非曝光区条形结构的宽度自左向右依次增大或减小；
通过热熔所述光栅式结构，得到楔形结构；
通过刻蚀，将所述楔形结构转移至所述衬底上；
在所述楔形结构上制作脊波导结构，得到模斑转换器；
其中，所述曝光区条形结构的宽度包括1～4μm；
所述光栅式结构的厚度包括3～6μm。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括氧化硅层、氮化硅层的任意一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述衬底上生长保护层包括通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述衬底上生长所述保护层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述通过刻蚀将所述楔形结构转移至所述衬底上，包括通过刻蚀选择比为1～2的刻蚀工艺将所述楔形结构转移至所述衬底上。
5.一种模斑转换器，包括，采用权利要求1～4任意一项所述的方法制备的模斑转换器。
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