[发明专利]体声波谐振器

说明书

本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及保护层，设置在所述谐振部的上表面上。所述保护层包括：第一保护层，利用金刚石薄膜形成；以及第二保护层，堆叠在所述第一保护层上，并且利用介电材料形成。

本申请要求于2020年11月9日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0148324号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器。

背景技术

根据无线通信装置小型化的趋势，需要使高频组件小型化的技术。作为示例，已经在无线通信装置中实现了使用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器型滤波器。

体声波(BAW)谐振器是被构造为使用沉积在半导体基板(诸如，硅晶圆)上的压电介电材料的压电特性来产生谐振的薄膜型元件，并且可实现为滤波器。

近来，对5G通信技术的兴趣已经增加，并且已经进行了对可在候选频带中实现的BAW谐振器的技术开发。然而，在使用sub-6GHz(例如，4GHz至6GHz)频带的5G通信的情况下，带宽增大并且通信距离缩短，使得体声波谐振器的信号强度或功率可增大。

当BAW谐振器的功率增大时，BAW谐振器的谐振部的温度趋于线性地升高。因此，期望提供一种可有效地散发谐振部中产生的热的BAW谐振器。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对选择的构思进行介绍，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极；以及保护层，设置在所述谐振部的上表面上。所述保护层包括：第一保护层，利用金刚石薄膜形成；以及第二保护层，堆叠在所述第一保护层上，并且利用介电材料形成。

所述第二保护层的一部分的厚度可大于所述第一保护层的厚度。

所述第一保护层的厚度可为或更大，并且所述第二保护层的厚度可为或更小。

所述第一电极和所述第二电极可从所述谐振部向外延伸。所述第一电极的位于所述谐振部外部的部分上可设置有第一金属层，并且所述第二电极的位于所述谐振部外部的部分上可设置有第二金属层。所述第一保护层的一部分可与所述第一金属层接触，并且所述第一保护层的一部分可与所述第二金属层接触。

所述第一保护层的一部分可设置在所述第一金属层下方，并且所述第一保护层的一部分可设置在所述第二金属层下方。

所述保护层的设置在所述第一金属层下方和所述第二金属层下方的区域的厚度可大于所述保护层的设置在所述谐振部上的区域的厚度。

所述第二保护层可包括二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO₂)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化锌(ZnO)、非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)中的任意一种。

所述第二电极可包括至少一个开口。所述第一保护层的至少一部分可设置在所述至少一个开口中，以与所述压电层直接接触。

所述第二电极可包括至少一个开口。所述压电层的至少一部分可设置在所述至少一个开口中，以与所述第一保护层直接接触。