[发明专利]一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构

说明书

本发明公开了一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构，包括存储区和围绕所述存储区的边缘区；边缘区功能层包括覆盖所述边缘区的所述缓冲绝缘层、所述第一介电层以及所述第二介电层，其中所述边缘区功能层中的至少一层，沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大；增加了容纳有机层的体积，可有效的防止有机层材料向外扩散溢出。同时将边缘区功能层的上表面与挡墙的夹角配置成较大的角度，有利于在采用喷墨打印的方式形成有机层时，有机层材料能够完全浸润其夹角，防止产生空气隙，大大提高了封装信赖性。

技术领域

本发明涉及NAND闪存芯片的技术领域，尤其涉及一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构。

背景技术

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。封装技术对于NAND闪存芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为NAND闪存芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的NAND闪存芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）的设计和制造，因此它是至关重要的。

现有技术中常使用薄膜封装的方法来保证NAND闪存芯片中的材料和电极不受外界环境中水汽和氧气的侵蚀，常采用有机/无机交叠的膜层结构作为薄膜封装材料。由于有机层材料具有流动性，在采用喷墨打印的方式形成有机层时，有机层材料易向外扩散溢出，导致封装效果差。现有技术中采用将边缘区中的某些功能膜层的厚度逐渐减薄，增加了容纳有机层的体积，可有效的防止有机层材料向外扩散溢出。但减薄的边缘区会减小其余边缘挡墙的夹角，使得在采用喷墨打印的方式形成有机层时，有机层材料无法完全浸润其夹角，产生空气隙，最终导致封装信赖性失效。

因此，有必要提供一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构，以防止有机层材料向外扩散溢出，同时具有较高的封装信赖性。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构，通过将边缘区域的功能层设计成厚度先减小后增加，可有效防止有机层材料向外扩散溢出，同时具有较高的封装信赖性。

为解决上述问题，本发明提供一种NAND闪存芯片的边缘封装结构，包括存储区和围绕所述存储区的边缘区；所述封装结构还包括衬底基板；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层位于所述衬底基板上的一侧表面上，且所述缓冲绝缘层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；电路布线层，所述电路布线层位于所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，所述电路布线层包括第一介电层，金属层，第二介电层；所述第一介电层位于所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，且所述第一介电层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；所述第二介电层位于所述第一介电层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上，且所述第二介电层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；所述金属层位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，且所述金属层仅位于所述存储区内未延伸至所述边缘区；边缘区功能层包括覆盖所述边缘区的所述缓冲绝缘层、所述第一介电层以及所述第二介电层，其中所述边缘区功能层中的至少一层，沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大；NAND闪存芯片，所述NAND闪存芯片位于所述电路布线层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上，且所述NAND闪存芯片仅位于所述存储区内未延伸至所述边缘区；薄膜封装层，所述薄膜封装层包括层叠设置的有机层和无机层，所述薄膜封装层为位于所述NAND闪存芯片与所述电路布线层上方，且所述薄膜封装层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区。

可选的，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层以及所述第一介电层的厚度配置为均匀的，所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大。