[发明专利]容双节点翻转的SRAM存储单元

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种容双节点翻转的SRAM存储单元。包括：锁存电路和传输电路，锁存电路包括八个反相器，八个反相器依次相连形成环形通路；当前反相器的输出端，与当前反相器的前一反相器第一输入端相连，形成当前反相器的存储节点；传输电路包括八个传输MOS管，任意一个传输MOS管对应连接一反相器的存储节点，且各个存储节点，按照环形通路的连接方向，通过对应传输MOS管依次交替地连接第一位线和第二位线；八个传输MOS管均连接字线，通过字线控制传输MOS管的导通；当前反相器的前一反相器第二输入端，连接当前反相器的在前第m个反相器输出端，在前第m个反相器的存储节点与前一反相器的存储节点共同连接同一位线。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种容双节点翻转的SRAM存储单元。

背景技术

集成电路技术节点的先进给芯片的可靠性带来了很多挑战，其中一个挑战就是单粒子效应带来的软错误。即单个高能粒子击中半导体器件的敏感节点，粒子导致的电离会在器件里形成电流脉冲，随之导致器件逻辑软错误。

图1示出了相关技术中的SRAM(Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器)存储单元的电路结构，从图1中可以看出该SRAM存储器包括第一NOMS传输管和第二NMOS传输管，第一NOMS传输管的源极和漏极分别连接在位线BL和存储节点Q上，第二NOMS传输管的源极和漏极分别连接位线BLB和存储节点QN，存储节点Q和存储节点QN之间连接互锁的第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器的结构相同且都是采用由一个NMOS管和一个PMOS管连接形成的CMOS反相器。

但是图1所示的SRAM存储器在其存储节点发生数据翻转时，由于电荷分享引起的双节点翻转，使得容一位节点翻转的SRAM存储单元失效，也不再具备容软错误的功能。

发明内容

本申请提供了一种容双节点翻转的SRAM存储单元，可以解决相关技术中不具有抗软错误性能，导致存储功能失效的问题。

为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种容双节点翻转的SRAM存储单元，所述容双节点翻转的SRAM存储单元，包括：锁存电路和传输电路

所述锁存电路包括八个反相器，八个所述反相器依次相连形成环形通路；每个所述反相器包括第一输入端、第二输入端和一个输出端；

确定所述锁存电路中的任意一个反相器为当前反相器，所述当前反相器的输出端，与所述当前反相器的前一反相器第一输入端相连，形成所述当前反相器的存储节点；

所述传输电路包括八个传输MOS管，任意一个传输MOS管对应连接一反相器的存储节点，且各个所述存储节点，按照所述环形通路的连接方向，通过对应传输MOS管依次交替地连接第一位线和第二位线；八个所述传输MOS管均连接字线，通过字线控制所述传输MOS管的导通；

所述当前反相器的前一反相器第二输入端，连接所述当前反相器的在前第m个反相器输出端，所述在前第m个反相器的存储节点与所述前一反相器的存储节点共同连接同一位线。

可选地，所述前一反相器的第二输入端，连接所述当前反相器的在前第六个反相器输出端，所述在前第六个反相器的存储节点与所述当前反相器的存储节点共同连接到同一位线。

可选地，所述锁存电路中的任意一个反相器，包括NMOS管和PMOS管；

所述PMOS管的一源漏端连接电源，所述PMOS管的另一源漏端连接所述NMOS管的一源漏端作为所述反相器的输出端，所述NMOS管的另一源漏端接地；

所述反相器的两输入端分别为所述反相器中，PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极。

可选地，所述反相器的第一输入端为所述反相器NMOS管的栅极，所述反相器的第二输入端为所述反相器PMOS管的栅极。