[发明专利]半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个第一类型的光感测单元，其中，所述多个第一类型的光感测单元的每个可操作的以接收第一辐射量；以及

多个第二类型的光感测单元，其中，所述多个第二类型的光感测单元的每个可操作的以接收第二辐射量，并且将所述多个第二类型的光感测单元与所述多个第一类型的光感测单元布置在阵列中，以形成像素传感器，其中，

所述第一辐射量小于所述第二辐射量，以及

所述多个第一类型的光感测单元的所述第一类型的光感测单元的第一示例的至少部分与所述多个第一类型的光感测单元的所述第一类型的光感测单元的第二示例相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一类型的光感测单元的所述第一示例的第一部分由所述多个第二类型的光感测单元的第一第二光感测单元围绕，并且

所述第一类型的光感测单元的所述第一示例的第二部分由所述第一类型的光感测单元的所述第二示例围绕，并且

所述第一部分不大于所述第二部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第二类型的光感测单元是由所述多个第一类型的光感测单元围绕的圆形区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述多个第一类型的光感测单元之上的反射层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述反射层从所述多个第一类型的光感测单元的一个的投射区域延伸至所述多个第二类型的光感测单元的一个的投射区域。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一隔离结构，位于所述多个第一类型的光感测单元的一个和所述多个第二类型的光感测单元的一个之间；以及

第二隔离结构，位于所述多个第一类型的光感测单元的相邻的第一类型的光感测单元之间，其中，所述第一隔离结构具有比所述第二隔离结构更大的投射区域。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述多个第一类型的光感测单元的一个和所述多个第二类型的光感测单元的一个之间的第三类型的光感测单元，其中，与所述第一辐射量或所述第二辐射量相比，所述第三类型的光感测单元可操作的以接收较少的辐射。

8.一种半导体图像传感器，包括：

像素传感器阵列，其中，所述像素传感器阵列包括第一像素传感器和第二像素传感器，并且所述第一像素传感器包括：

第一类型的光感测单元；以及

第二类型的光感测单元，其中，将所述第一类型的光感测单元和所述第二类型的光感测单元布置在子阵列中，其中，

与所述第二类型的光感测单元相比，所述第一类型的光感测单元可操作的以接收较少的辐射，并且

所述第一类型的光感测单元的至少部分与所述第二像素传感器相邻。

9.根据权利要求8所述的半导体图像传感器，其中，所述第一类型的光感测单元的第一部分由所述第二类型的光感测单元围绕，所述第一类型的光感测单元的第二部分由所述像素传感器阵列的另一像素传感器的另一第一类型的光感测单元围绕，并且所述第一部分不大于所述第二部分。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上设置多个第一类型的光感测单元；

设置布置在所述衬底上的多个第二类型的光感测单元，其中，与所述多个第二类型的光感测单元的每个相比，所述多个第一类型的光感测单元的每个可操作的以接收较少的辐射，以及设置所述多个第二类型的光感测单元包括将所述多个第二类型的光感测单元的至少一个设置为与所述多个第一类型的光感测单元的至少一个的部分相邻；

将第一隔离结构设置在所述多个第一类型的光感测单元的一个和所述多个第二类型的光感测单元的一个之间；

将第二隔离结构设置在所述多个第一类型的光感测单元的相邻的第一类型的光感测单元之间；以及

在所述多个第一类型的光感测单元的之上设置反射层。