[发明专利]多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路

权利要求书

1.一种多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路，包括输入电压端口VIN、输出电压端口VOUT、功率级传输电路、电流采样电路、振荡器和斜坡发生器、脉冲调制电路、误差放大器，其特征在于：还包括时序控制逻辑电路、迟滞模式选择电路和直流失调电压电路；所述时序控制逻辑电路输入端口pwm与脉冲调制输出端口连接，输入端口clk与振荡器和斜坡发生器输出端口clk连接，输入端口mode与迟滞模式选择电路输出端口连接，输出端口1与功率级传输电路中的TG1端口连接，输出端口2与功率级传输电路BG1端口连接，输出端口3与功率级传输电路BG2端口连接，输出端口4与功率级传输电路TG2端口连接；所述迟滞模式选择电路的输入端1与输入电压端口VIN连接，输入端(2)与输出电压端口VOUT连接，输出端口分别与直流失调电压电路的输入端和时序控制逻辑电路mode输入端口连接；所述脉冲调制电路的正输入端口分别与电流采样电路、振荡器和斜坡发生器输出端口ramp、直流失调电压电路输出端口连接，负输入端口与误差放大器输出端口连接，输出端口与时序控制逻辑电路pwm输入端口连接；所述直流失调电压电路的输入端与迟滞模式选择电路输出端连接，输出端接脉冲调制的正输入端；所述振荡器和斜坡发生器输出端口ramp与电流采样电路输出端口连接；所述电流采样电路正输入端口与功率级传输电路端口SENS+连接，负输入端口与功率级传输电路端口SENS-连接，输出端口与脉冲调制电路的正输入端连接；所述误差放大器的正输入端口REF与1V基准电压连接，负输入端口与功率级传输电路的端口FB连接；所述功率级传输电路的输入端口与输入电压端口VIN连接，输出电压端口与输出电压端口VOUT连接，SENS+端口与电流采样电路正输入端口连接，SENS-端口与电流采样电路负输入端口连接，TG1端口与时序控制逻辑电路输出端口1连接，BG1端口与时序控制逻辑电路输出端口2连接，BG2端口与时序控制逻辑电路输出端口3连接，TG2端口与时序控制逻辑电路输出端口4连接，FB端口与误差放大器的负输入端口连接。

2.根据权利要求1所述多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路，其特征在于：所述功率级传输电路包括电流采样电阻Rsense、NMOS晶体管K1、NMOS晶体管K1b、电感L、NMOS晶体管K2、NMOS晶体管K2b、分压电阻R1、分压电阻R2、输出电容Cout和负载电阻Rout；所述电流采样电阻Rsense跨接在电流采样电路的正输入端SENS+与电流采样电路的负输入端SENS-之间；所述NMOS晶体管K1的漏极与电流采样电阻Rsense的一端连接，源极与电感L的一端SW1连接，NMOS晶体管K1的栅极与时序控制逻辑输出TG1连接；所述NMOS晶体管K1b的漏极与电感L的一端SW1连接，源极与地端连接，栅极与时序控制逻辑输出BG1连接；所述电感L跨接在NMOS晶体管K1的源极与NMOS晶体管K2的漏极之间；所述NMOS晶体管K2的漏极与电感L的SW2端连接，源极与地端连接，栅极与时序控制逻辑输出BG2连接；所述NMOS晶体管K2b的漏极与分压电阻R1的一端连接，源极与电感L的SW2端连接，栅极与时序控制逻辑输出TG2连接；所述分压电阻R1跨接在NMOS晶体管K2b的漏极与分压电阻R2之间；所述分压电阻R2跨接在地端与分压电阻R1之间；所述输出电容Cout跨接在NMOS晶体管K2b的漏极与地端之间；所述负载电阻Rout的一端与NMOS晶体管K2b的漏极连接，另一端与地端连接，所述振荡器的输出端与斜坡发生器、时序控制逻辑电路输入端口clk连接；所述斜坡发生器的输入端与振荡器的输出端连接，输出端与电流采样输出端信号相加后连接到脉冲调制正输入端；所述脉冲调制电路正输入端与直流失调电压电路输出端连接，负输入端与误差放大器输出端连接，所述脉冲调制电路输出端pwm与时序控制逻辑电路输入端口pwm连接；所述误差放大器正输入端口与1V基准电压REF连接，负输入端口FB与分压电阻R2的一端连接，输出端口与脉冲调制负输入端口连接。