[发明专利]一种用于制备单晶包层的方法及装置有效
| 申请号： | 202110814718.4 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113480198B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王宇;顾鹏;梁振兴 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C25/106 | 分类号： | C03C25/106;C03C25/16;C30B1/02;C30B29/28 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 严芳芳 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 包层 方法 装置 | ||
1.一种用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，所述方法包括：
制备非晶相YAG物料，其中，
所述制备非晶相YAG物料包括：
将原料熔化以形成原料熔体；以及
通过喷射流体对所述原料熔体进行分散降温处理，以形成所述非晶相YAG物料；
在1500℃-1800℃的温度范围内熔化所述非晶相YAG物料以形成非晶相YAG熔体；
将掺杂YAG单晶光纤浸没于所述非晶相YAG熔体中，其中，
所述掺杂YAG单晶光纤的熔化温度在1900℃-2100℃范围内；
基于所述非晶相YAG熔体和所述掺杂YAG单晶光纤，在所述掺杂YAG单晶光纤外周形成非晶相YAG包层；以及
对所述非晶相YAG包层进行晶化处理，得到所述YAG单晶包层。
2.根据权利要求1所述的用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，所述制备非晶相YAG物料还包括：
收集所述非晶相YAG物料，在所述收集过程中，振荡所述非晶相YAG物料。
3.根据权利要求1所述的用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，所述将掺杂YAG单晶光纤浸没于所述非晶相YAG熔体中包括：
将所述掺杂YAG单晶光纤水平放置浸没于所述非晶相YAG熔体中。
4.根据权利要求1所述的用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，所述基于所述非晶相YAG熔体和所述掺杂YAG单晶光纤，在所述掺杂YAG单晶光纤外周形成非晶相YAG包层包括：
在恒定温度下，在所述掺杂YAG单晶光纤外周形成所述非晶相YAG包层。
5.根据权利要求1所述的用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，所述方法还包括：
以预设提拉速率将外周形成有所述非晶相YAG包层的掺杂YAG单晶光纤提拉出所述非晶相YAG熔体，其中，在提拉过程中，对所述形成有所述非晶相YAG包层的掺杂YAG单晶光纤进行后加热处理。
6.根据权利要求1所述的用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，对所述非晶相YAG包层进行晶化处理包括：
在所述非晶相YAG包层外周沉积晶化剂层；以及
对沉积有晶化剂层的非晶相YAG包层进行所述晶化处理。
7.根据权利要求1所述的用于制备YAG单晶包层的方法，其特征在于，对所述非晶相YAG包层进行晶化处理的过程中，通入流动氧气。
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