[发明专利]一种金属封装外壳及其制作方法

权利要求书

1.一种金属封装外壳，其特征在于，包括：金属外壳本体(1)，所述金属外壳本体底部平面上阵列式设置有若干通孔(11)，所述通孔内设置有铜柱(2)，所述金属外壳本体的具有所述铜柱的底部平面上设置有LTCC基板电路(3)，所述金属外壳本体的材料为钛合金，所述铜柱的材料为无氧铜，所述通孔(11)为阵列式排布，阵列式排布的通孔所占区域的面积大于LTCC基板电路的面积。

2.根据权利要求1所述的一种金属封装外壳，其特征在于，所述金属外壳本体的材料为TC4钛合金。

3.根据权利要求1所述的一种金属封装外壳，其特征在于，所述通孔(11)的直径D为1mm～5mm。

4.根据权利要求1所述的一种金属封装外壳，其特征在于，所述通孔间间距H为通孔直径的2～4倍。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的金属封装外壳的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：通过机械加工制得TC4钛合金材料的无盖矩形槽，在无盖矩形槽底部开设若干通孔，所述通孔的直径D为1mm～5mm，所述通孔间间距H为通孔直径的2～4倍，对开设好通孔的无盖矩形槽进行镀镍处理，镀镍层的厚度为5～15μm，制得金属外壳本体；

S2：机械加工制得比通孔的直径小0.03～0.10mm的铜柱，铜柱为无氧铜材料；

S3：在氮氢混合气体的保护气氛下，将铜柱钎焊在金属外壳本体的通孔内，钎焊焊料采用银铜共晶焊料，钎焊温度在800～850度，保温2～10分钟，制得钛合金封装外壳；

S3：将LTCC基板电路安装在金属外壳本体内部设置铜柱的底面上。

6.根据权利要求5所述的金属封装外壳的制作方法，其特征在于，所述S3步骤中的银铜共晶焊料，质量百分比为Ag72%、Cu28%。

7.根据权利要求5所述的金属封装外壳的制作方法，其特征在于，所述S1步骤中的TC4钛合金材料的密度为4.5g/cm³，热导率15.2 W/(m∙K)，热膨胀系数8.5×10^-6/℃。

8.根据权利要求5所述的金属封装外壳的制作方法，其特征在于，所述S2步骤中的无氧铜材料的密度为8.9g/cm³，热膨胀系数17×10^-6/℃,热导率390W/(m∙K)。

9.根据权利要求5所述的金属封装外壳的制作方法，其特征在于，所述S3步骤中的LTCC基板电路的低温共烧氧化铝体系材料的密度为2.45g/cm³，热膨胀系数7.1×10^-6/℃。