[发明专利]一种荼薇的栽培方法在审

专利信息
申请号: 202110815957.1 申请日: 2021-07-19
公开(公告)号: CN115633603A 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 中山市小榄荼薇花专业合作社
主分类号: A01G22/00 分类号: A01G22/00;A01G2/10;A01G24/15;A01G24/28;A01C21/00;A01H4/00
代理公司: 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 代理人: 宋秀兰
地址: 528415 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 栽培 方法
【权利要求书】:

1.一种荼薇的栽培方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)繁育期:荼薇繁育技术包括扦插、组培或嫁接中的一种;

(2)生长期:为5-10月,共施肥3次,每2个月施肥一次;每次施肥30-35kg/亩,其中第一次施肥N:P:K=3-5:0.5-1.5:1,第二次施肥N:P:K=1-3:0.5-1.5:1,第三次施肥N:P:K=4-6:1-3:1;

(3)花芽期:包括花芽孕育和分化期,期间屈花和压条,每株修剪保留枝条30-40枝;

(4)花后期:施用氮肥和磷酸二氢钾复合肥,共施肥20-30kg/亩,其中氮肥和磷酸二氢钾复合肥的质量比为6-10:1。

2.根据权利要求1所述的荼薇的栽培方法,其特征在于,步骤(1)中所述扦插的时间为5-6月;选择当年半木质营养枝顶梢,4-5节间长插条,顶端留3片复叶,第一腋节背侧削成斜面扦插,苗床用拱形薄膜覆盖,爆出湿度70-80%;扦插的基质由质量比为4:5:1的蛭石、泥炭与珍珠岩组成,基质的干容重0.18-0.22,总孔隙度80-90%,大孔隙度25-30%,小孔隙度60-65%,最大持水率3.8-4.2,抑值6.87,EC值0.85,全氮0.8-1.0%,全磷520-540mg/kg,全钾5600-5800mg/kg,钙1600-2000mg/kg,镁2300-2500mg/kg。

3.根据权利要求1所述的荼薇的栽培方法,其特征在于,步骤(1)中所述扦插时采用生根剂浸渍枝条基部2秒,所述生根剂的浓度1200-1600mg/L,扦插工序完成后,喷多菌灵1000倍液消毒;所述生根剂由重量比为3-5:3-5:1-3:0.5的吲哚丁酸、细胞分裂素、柠檬皮总黄酮提取液和阿司匹林组成。

4.根据权利要求1所述的荼薇的栽培方法,其特征在于,步骤(1)中所述组培的操作包括如下步骤:

A:无菌材料获取:选取当年生枝条中段带芽嫩条,先水洗再杀菌处理,最后将嫩条剪切成0.8-1.2cm的带芽茎段,接种于萌芽培养基上萌芽4周;

B:增殖:将带芽茎段的带牙愈伤组织切下,放入增殖培养基上增殖3周成小植株;

C:生根:将B中的小植株转接入生根培养基上,生根30天。

5.根据权利要求4所述的荼薇的栽培方法,其特征在于,步骤A中所述的杀菌处理为先用65-75%乙醇溶液消毒20-40s,再用无菌水冲洗2-3次,然后置于0.1%HgCl2溶液中消毒3~5min,再用无菌水冲洗3~5次;然后用无菌滤纸吸干嫩条表面的水分。

6.根据权利要求4所述的荼薇的栽培方法,其特征在于,步骤A-C中培养的条件如下:

A:无菌材料获取:萌芽培养基的组分和含量为MS+NAA0.05-0.2mg/L+6-BA0.5-1.5mg/L+琼脂0.7%+蔗糖3%,调pH为5.8~6.0,培养温度为28-30℃,光照为1400-1600lx,湿度为80-90%;

B:增殖:增殖培养基的组分和含量为1/2MS+NAA0.1mg/L+6-BA1.0mg/L+琼脂0.7%+蔗糖3%+甘氨酸0.3-0.5%,调pH为6.0-6.2,培养温度为30-32℃,光照为1200-1500lx,湿度为45-60%;

C:生根:生根培养基的组分和含量为1/4MS+NAA0.1mg/L+6-BA1.0mg/L+琼脂0.7%+蔗糖3%+活性炭0.2%,调pH为6.0-6.2,培养温度为27-29℃,光照为1800-2000lx,湿度为75-85%。

7.根据权利要求1所述的荼薇的栽培方法,其特征在于,所述嫁接的方法为以小榄产的粉花丽春为砧木,将荼薇接穗以芽接的方式进行嫁接;所述嫁接的时间为1-3月、6月中旬或9月中下旬,嫁接的温度为28-32℃,所述荼薇接穗选取位置为距枝条顶端5-10cm为接穗上端,从上端向下6-8cm为接穗下端,接穗的直径为2-4cm,所述接穗含有3-5个萌芽;所述嫁接的位置是在砧木枝条距顶端15-20cm处,所述砧木的定干高度为95-120cm;优选地,所述粉花丽春具有6-15个分枝;优选地,所述嫁接时间为2月或6月中旬。

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