[发明专利]一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法在审
| 申请号： | 202110816844.3 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113451153A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 夏乾华 | 申请（专利权）人： | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 集成电路 半导体 模块 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法其特征在于，
成品的大功率发热量大的晶圆放置在含有高导热，高散热性能，高比热容的金属封装外壳侧，该金属封装外壳采用复合结构。
2.一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法，其特征在于，
该金属封装外壳相对成品是全部包裹或部分包裹表现形式，封装外壳外部是高散热性和高热传导性能的金属材料外壳，内部中空，中空空间灌注比金属外壳更高比热容的固态，液态，或其气态物质。
3.一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法，其特征在于，
该封装外壳可以是直接在上固定晶圆的支架形式，也可以是和固定晶圆和封装支架先固定，再将固定了晶圆的封装支架固定在上面的封装外壳。
4.根据权利要求2，一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法，其特征在于，
封装外壳内部中空空间灌注的高比热容物质，可灌满，也可以先期只灌装部分空间，不全满，产品未工作时内部没有全充满灌注物质，当产品工作时，内部灌注物质在固-液-气态间转换可以有体积膨胀加大吸热空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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