[发明专利]一种大功率集成电路半导体或模块的主动调温封装方法在审
| 申请号： | 202110816846.2 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113451154A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 夏乾华 | 申请（专利权）人： | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/38;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 集成电路 半导体 模块 主动 调温 封装 方法 | ||
1.在一种大功率集成电路半导体或模块的主动调温封装方法,其特征在于，
大功率发热量大的晶圆放置在含有高导热性能的复合封装外壳或框架上，该复合封装外壳或框架含有半导体制冷片。
2.根据权利要求1，一种大功率集成电路半导体或模块的主动降温设计封装方法，其特征在于，
半导体制冷片的两个电极引出构成封装成品的两个主动调温控制引脚。
3.一种大功率集成电路半导体或模块的主动降温设计封装方法，其特征在于，
该复合封装外壳相对于成品是全部包裹或部分包裹表现形式，封装外壳外部是高散热性和高热传导性能的材料外壳。
4.一种大功率集成电路半导体或模块的主动降温设计封装方法,其特征在于，
该封装外壳可以是将晶圆和封装框架先固定，再将固定了晶圆的封装框架固定在半导体制冷片上面。
5.根据权利要求1，一种大功率集成电路半导体或模块的主动降温设计封装方法，其特征在于，
该封装外壳可以是直接用半导体制冷片来制作，利用半导体制冷片的外部进行局部金属化，制成固定晶圆的框架和模块中各元件间的连接电路，然后直接将晶圆固定在半导体制冷片的晶圆固定框架上。
6.根据权利要求4和5，一种大功率集成电路半导体或模块的主动降温设计封装方法，其特征在于，
该半导体制冷片的另一非晶圆固定端侧可直接构成封装的最外层，也可再和金属框架复合在一起，金属框架做最外层，可加强调温能力和增强封装结构强度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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