[发明专利]带电粒子束装置和设定辅助方法在审

专利信息
申请号: 202110817170.9 申请日: 2021-07-20
公开(公告)号: CN114088758A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 渡壁一贵;桑原博文;宫原丈知;坂田隆英;F·蒂米什尔 申请(专利权)人: 日本电子株式会社
主分类号: G01N23/225 分类号: G01N23/225;G01N23/2251
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;张艳凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 带电 粒子束 装置 设定 辅助 方法
【说明书】:

一种带电粒子束装置和设定辅助方法,基于照射条件和试样的元素信息,生成参照像(82、202)。参照像(82、202)包含示出特征X射线产生范围的图形(112)、示出特征X射线产生深度的数值(114)等。伴随着加速电压、倾角或构成试样的元素的变更,参照像(82、202)发生变化。参照像(82、202)可包含示出入射电子散射范围的图形(204)、示出反射电子产生范围的图形(108)等。

技术领域

本发明涉及带电粒子束装置和设定辅助方法,特别是涉及对照射条件的设定进行辅助的技术。

背景技术

作为带电粒子束装置,已知扫描电子显微镜、电子束微量分析仪、离子束照射装置等。以下,以这些装置为代表来说明扫描电子显微镜。

扫描电子显微镜是对试样(specimen)照射作为带电粒子束(charged particlebeam)的电子束(electron beam),检测从试样发射的二次电子、反射电子、特征X射线等的装置。基于由电子束的二维扫描得到的一系列检测信号形成表示试样的表面或表层的图像。通过对从试样发出的特征X射线的分析,执行试样的定性解析和定量解析。

在扫描电子显微镜对试样的测定中,根据构成试样的元素,试样内的电子侵入深度(electron penetration depth)(电子束侵入深度,电子散射深度)发生变化,另外,根据电子束的加速电压(accelerating voltage)(入射电压;landing voltage),试样内的电子侵入深度发生变化。与其同样地,根据构成试样的元素、电子束的加速电压,在试样内产生反射电子的深度(从试样发射的反射电子的产生范围)和在试样内产生特征X射线的深度(从试样发射的特征X射线的产生范围)发生变化。

在扫描电子显微镜中,通过用户对数值的指定来设定加速电压等照射条件。以往,在照射条件的设定时,并不显示对设定作业进行辅助的示意图等。此外,也已知推断试样中的电子散射范围或信号产生范围的模拟装置。这样的装置不是测定装置,而是以单体发挥功能的,无法实现这样的装置与带电粒子束装置的协作。

特开2004-163135号公报和特开2006-275756号公报公开了X射线分析装置。这些专利文献记载了试样内的X射线产生区域的计算和基于X射线产生区域的加速电压的决定。但是,这些专利文献没有公开辅助用户对照射条件的设定的技术。此外,在申请说明书中,照射条件的设定的概念可包含照射条件的确认和变更。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于,在带电粒子束装置中辅助用户对照射条件的设定。或者,本发明的目的在于,使得在带电粒子束装置中能一边想象在试样内产生的物理现象的范围及其大小,一边进行照射条件的设定。

用于解决问题的方案

本发明的带电粒子束装置的特征在于,包含:测定部,其对试样照射带电粒子束,检测从上述试样发出的信号;参照像生成部,其基于参照像生成用的照射条件和试样信息,生成包含模拟了上述试样内的信号产生范围的图形和示出上述信号产生范围的大小的数值的参照像;以及显示器,其在设定上述带电粒子束的实际的照射条件时,显示包含上述参照像的图形用户接口图像。

本发明的设定辅助方法的特征在于,包含:基于参照像生成用的照射条件和试样信息,生成包含模拟了被照射电子束的试样内的物理现象的范围的图形和示出上述物理现象的范围的大小的数值的参照像的工序;以及在用户进行上述电子束的实际的照射条件的设定时显示上述参照像的工序。

附图说明

图1是示出实施方式的扫描电子显微镜的概念图。

图2是示出第1实施例的UI(用户接口)部的图。

图3是示出元素表的一个例子的图。

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