[发明专利]利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法在审
| 申请号： | 202110817423.2 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113747644A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郭亮;李琦;潘凯强;刘耀远;赵航;龚韬;李志超;孙传奎;谢旭飞;杨冬 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | H05G2/00 | 分类号： | H05G2/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吴彦峰 |
| 地址： | 621900 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 离子 分离 抑制 辐射源 等离子体 膨胀 方法 | ||
1.利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，应用于黑腔辐射源的腔壁和腔室，其特征在于，包括：
以高Z元素和低Z元素混合的固体复合材料构造黑腔辐射源的腔壁，腔壁包括激光X光转换层和离子分离层；且离子分离的复合涂层厚度大于等于300nm；
向黑腔的腔室内部内充入碳氢气体并使气压小于等于0.3倍大气压；
采用1ns～30ns脉宽的激光驱动黑腔形成冕区等离子体膨胀受限的辐射源。
2.根据权利要求1所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：所述的固体复合材料包括金硼合金涂层的纯金，其中以Au作为激光X光转换层，以AuB作为离子分离层。
3.根据权利要求1或2所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：所述的固体复合材料包括氮化铀涂层的贫铀，其中DU为激光X光转换层，UN为离子分离层。
4.根据权利要求1所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：所述的腔壁固体复合材料中高Z元素的原子核的核电荷数大于等于72。
5.根据权利要求1所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：所述的腔壁复合材料中低Z元素的原子核电荷数小于等于10。
6.根据权利要求1所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：所述的腔壁中低Z元素的原子数目占复合材料原子数目的百分比大于等于30％。
7.根据权利要求1所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：所述的腔壁上高Z材料和低Z材料的厚度大于等于300nm。
8.根据权利要求1所述的利用离子分离抑制黑腔辐射源腔壁等离子体膨胀的方法，其特征在于：充入腔室中的气体的低Z成分元素与腔壁复合材料中低Z元素的质量比在0.8～1.2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心，未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110817423.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
