[发明专利]从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器有效
申请号: | 202110817538.1 | 申请日: | 2021-07-20 |
公开(公告)号: | CN113540282B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 王雷;刘义俊;陈以威;黄焱 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0203;H01L31/0224 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210046 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 赫兹 波段 连续 可调 双层 石墨 光电 探测器 | ||
1.一种从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器,其特征在于,双层石墨烯电子传输层封装在上下两层六角氮化硼之间,构成范德瓦尔斯异质结;所述异质结下方放置了石墨作为背栅,异质结上方放置石墨烯作为顶栅,异质结两侧搭载有源极和漏极;所述源极和漏极采用由70 nm厚的铬/金层;所述源极和漏极通过一维电接触技术搭载在异质结两侧;所述一维电接触技术包括刻蚀和热蒸镀;所述双层石墨烯光电探测器放在光学低温恒容器的真空环境中,测量温度为4 K ~77 K,源极和漏极之间的偏置电压为1 ~10 mV。
2.根据权利要求1所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器,其特征在于,所述双层石墨烯光电探测器放置在绝缘衬底上。
3.根据权利要求2所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器,其特征在于,所述绝缘衬底的材质为SiO2。
4.根据权利要求2或3所述的从远红外到太赫兹波段连续可调的双层石墨烯光电探测器,其特征在于,所述绝缘衬底的厚度为几十到几百纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的