[发明专利]一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构

说明书

本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构，该制备方法包括：提供基底，基底表面具有多个盲孔或沟槽；于多个盲孔或沟槽内形成填充层，填充层的顶面与基底的顶面平齐；于填充层的顶面和基底的顶面上形成覆盖层；其中，覆盖层包括至少一个叠层结构，一个叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且第一覆盖层的掺杂材料源和第二覆盖层的掺杂材料源不同。这样，采用包含第一覆盖层和第二覆盖层的叠层结构实现覆盖层，不仅能够避免沉积过程中的应力累积问题，而且改善了覆盖层的均匀度和表面粗糙度，还能够平衡结构阻值，从而提高了半导体结构的性能。

技术领域

本申请涉及存储器制作技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

目前，在DRAM的制程中，需要利用掺杂多晶硅对基底进行填充，以形成电容器，该填充过程中存在应力累积、填充不够致密等问题，导致了DRAM的性能下降。

发明内容

本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构，能够改善掺杂多晶硅在填充过程中的应力累积问题，同时提高填充致密性。

本申请的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法，该方法包括：

提供基底，基底表面具有多个盲孔或沟槽；

于多个盲孔或沟槽内形成填充层，填充层的顶面与基底的顶面平齐；

于填充层的顶面和基底的顶面上形成覆盖层；

其中，覆盖层包括至少一个叠层结构，一个叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且第一覆盖层的掺杂材料源和第二覆盖层的掺杂材料源不同。

第二方面，本申请实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：

基底，基底表面具有多个盲孔或沟槽；

填充层，位于多个盲孔或沟槽内，且填充层的顶面与基底的顶面平齐；

覆盖层，位于填充层的顶面和基底的顶面；

其中，覆盖层包括至少一个叠层结构，一个叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且第一覆盖层的掺杂材料源和第二覆盖层的掺杂材料源不同。

第三方面，本申请实施例提供了一种电容结构，包括如第二方面的半导体结构，盲孔为电容孔，电容孔内壁由内至外依次设置下电极，电容介质层和上电极，填充层位于电容孔内并覆盖上电极。