[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202110818578.8 | 申请日: | 2021-07-20 |
公开(公告)号: | CN113629084B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置;该显示面板包括阵列基板,该阵列基板通过设置电容,使电容与第一薄膜晶体管连接,通过电容中的感光图案感光,使得在光照变化时,电容的感光图案的电荷量变化带动第一薄膜晶体管的电流变化,而感光图案的感光特性优于薄膜晶体管的有源图案的感光特性,从而提高了第一薄膜晶体管的感光特性,提高指纹识别效果,且将第二栅极作为电容极板,降低了阵列基板的厚度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示器件为了提高屏占比,会将指纹传感器设置在显示屏下。由于氧化物薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管具有更高的电子迁移率和稳定性,现有指纹传感器会采用氧化物薄膜晶体管,例如氧化铟镓锌薄膜晶体管。但氧化铟镓锌薄膜晶体管由于具有较高的带宽,导致其只对波长较短的紫外光进行吸收,根据对氧化物薄膜晶体管进行测试可知,其漏电流在波长低于468纳米的光线下有明显的响应,但相较于400纳米至760纳米的可见光,氧化物薄膜晶体管仍然有大量的可见光无法感应到,导致具有氧化铟镓锌薄膜晶体管的指纹传感器无法识别手指点击处,指纹识别效果较差。
所以,现有显示器件存在氧化物薄膜晶体管的感光范围较小,导致指纹传感器识别效果较差的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以缓解现有显示器件存在氧化物薄膜晶体管的感光范围较小所导致的指纹传感器识别效果较差的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板包括阵列基板,该阵列基板包括:
衬底;
第一栅极,设置于所述衬底一侧;
有源图案,设置于所述第一栅极远离所述衬底的一侧;
第二栅极,设置于所述有源图案远离所述第一栅极的一侧;
感光图案,设置于所述第二栅极远离所述有源图案的一侧;
极板,设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧;
其中,所述阵列基板还包括第一源极和第一漏极,所述第一栅极、所述第一源极、所述第一漏极、所述第二栅极和所述有源图案形成第一薄膜晶体管,所述第二栅极、所述感光图案和所述极板形成电容。
在一些实施例中,所述第一栅极与所述第一源极同层设置,且所述第一栅极与所述第一源极绝缘设置,所述第一栅极与所述第一漏极同层设置,且所述第一栅极与所述第一漏极绝缘设置。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括第二源极、第三栅极和第一遮光图案,所述第二源极、所述第一漏极、所述第三栅极和所述有源图案形成第二薄膜晶体管,所述第一遮光图案对应于所述第二薄膜晶体管的有源图案设置,所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置,且所述第一遮光图案与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极绝缘设置。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括像素电极层,所述像素电极层设置于所述感光图案远离所述第二栅极的一侧,所述像素电极层包括像素电极和极板,且所述极板与所述像素电极绝缘设置。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括透明导电层和像素电极层,所述透明导电层设置于所述像素电极层与所述感光图案之间,所述透明导电层形成有极板,且所述极板与所述像素电极层绝缘设置。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括第二遮光图案,所述第二遮光图案对应设置于所述第二薄膜晶体管上。
在一些实施例中,所述第二栅极与所述第三栅极同层设置。
在一些实施例中,所述感光图案的材料包括非晶硅和噻吩系有机材料中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的