[发明专利]基于FALSH存储器的计数算法

说明书

本发明公开了基于FALSH存储器的计数算法，涉及存储器的技术领域，旨在解决现有存储设备对整扇区的擦除，导致了使用寿命减少的问题。其技术方案要点是对n个扇区的预留字节从低位至高位依次置0，当第1至i个扇区(A₁+A₂+……+A_i)个字节均置全0，第i+1个扇区A_i+1个字节中的第1个字节最低位置0，同时对第1至i个扇区进行擦除处理，从第1个扇区中的第一个字节最低位重新开始置0；当第1至i个扇区的A₁、A₂、……、A_i个字节再次均置全0后，将第i+1个扇区的A_i+1个字节中第1个字节置0位的高一位置0；重复进行擦除和置位操作，直至n个扇区的字节均置全0。本发明达到了延长存储器使用寿命的效果。

技术领域

本发明涉及存储器的技术领域，尤其是涉及一种基于FALSH存储器的计数算法。

背景技术

在嵌入式领域，FLASH存储芯片有非常广泛的应用，硬件设计和驱动程序简单，相对于铁电(FRAM)存储器而言成本较低，可靠性好。因此在低成本的测控设备中有普遍应用，但是FALSH存储芯片都有使用寿命的限制，一般为100万次。在嵌入式设备中，会涉及到频繁数据的存储，比如电表或者雨量计脉冲计数和累加、投币机的脉冲计数和累加等，该计数总量在应用中往往会远远大于100万次，并且对于存储数据的可靠性以及准确性有很高要求。

FLASH的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1。所以在FLASH编程之前，必须将对应的扇区擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为1的过程，将扇区内的所有字节变为0xFF，然后对FALSH进行最基本的读、写和擦除操作。正是因为需要整扇区进行擦除，导致了FLASH存储器使用寿命的减少，该问题有待解决。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于FALSH存储器的计数算法，其达到了延长存储器使用寿命的效果。

本发明的上述发明目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种基于FALSH存储器的计数算法，包括以下步骤：

在存储器中选取n个扇区，在n个所述扇区中分别预留A₁、A₂、A₃、……、A_n个字节，对n个扇区进行擦除处理，令A₁、A₂、A₃……A_n个字节置为全1；

对n个扇区的预留字节从低位至高位依次置0，当第1至i个扇区(A₁+A₂+……+A_i)个字节均置全0，第i+1个扇区A_i+1个字节中的第1个字节最低位置0，同时对第1至i个扇区进行擦除处理，令第1至i个扇区的A₁、A₂、……、A_i个字节置为全1，从第1个扇区中的第一个字节最低位重新开始置0；

当第1至i个扇区的A₁、A₂、……、A_i个字节再次均置全0后，将第i+1个扇区的A_i+1个字节中第1个字节置0位的高一位置0；

重复进行擦除和置位操作，直至n个扇区的字节均置全0。

本发明进一步设置为：所述存储器的使用寿命扩展为原使用寿命的倍。

本发明进一步设置为：所述擦除和置位操作在存储器接收到脉冲信号后进行。

本发明进一步设置为：当所述存储器接收到脉冲信号，触发置位操作，或者同时触发擦除和置位操作。