[发明专利]红光发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种红光发光二极管芯片，其特征在于，所述红光发光二极管芯片包括：基板(101)、p型层(20)、多量子阱层(30)、n型层(40)、钝化层(50)、n型电极(62)和p型电极(61)；

所述p型层(20)、所述多量子阱层(30)和所述n型层(40)依次层叠在所述基板(101)上，所述n型电极(62)位于所述n型层(40)表面，所述n型层(40)的中部具有露出所述p型层(20)的第一凹槽(A)，所述p型电极(61)位于所述p型层(20)表面，且位于所述第一凹槽(A)的底面；

所述钝化层(50)至少覆盖所述n型层(40)、所述第一凹槽(A)、所述p型层(20)的表面；

所述钝化层(50)远离所述基板(101)的表面具有第二凹槽(B)，所述第二凹槽(B)的底面在所述基板(101)的正投影，与所述多量子阱层(30)在所述基板(101)的正投影不重叠。

2.根据权利要求1所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(B)的侧壁为斜面，所述第二凹槽(B)的侧壁与所述第二凹槽(B)的底面之间的夹角为钝角。

3.根据权利要求1所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(B)的底面为圆形，所述第二凹槽(B)的侧壁为圆锥面。

4.根据权利要求3所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(B)的槽深为6000埃至10000埃。

5.根据权利要求3所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述第二凹槽(B)的侧壁与所述第二凹槽(B)的底面的夹角为130°至140°。

6.根据权利要求1所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述p型电极(61)包括相连的电极部(611)和连接部(612)，所述电极部(611)在所述基板(101)上的正投影位于所述第二凹槽(B)在所述基板(101)上的正投影内，所述连接部(612)在所述基板(101)上的正投影位于所述第二凹槽(B)在所述基板(101)上的正投影外。

7.根据权利要求1至6任一项所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述钝化层(50)包括依次层叠的氧化硅层(501)、DBR层(502)和氮化硅层(503)，所述氧化硅层(501)与所述n型层(40)、所述n型电极(62)、所述第一凹槽(A)、所述p型层(20)、所述p型电极(61)相连，所述第二凹槽(B)位于所述氮化硅层(503)内。

8.根据权利要求7所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述氧化硅层(501)的厚度为4000埃至6000埃，所述氮化硅层(503)的厚度为0.5μm至2μm，所述DBR层(502)包括多个周期性交替层叠的TiO₂层和SiO₂层。

9.根据权利要求1至6任一项所述的红光发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括第一焊点块(71)和第二焊点块(72)，所述第一焊点块(71)和所述第二焊点块(72)均位于所述钝化层(50)远离所述基板(101)的表面；

所述钝化层(50)设有露出所述n型电极(62)的第一过孔(C)和露出p型电极(61)的第二过孔(D)，所述第一焊点块(71)覆盖在所述第一过孔(C)上，且与所述n型电极(62)连接，所述第二焊点块(72)覆盖在所述第二过孔(D)上，且与所述p型电极(61)连接。

10.一种红光发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长n型层、多量子阱层、p型层；

在所述p型层上粘结基板，并去除所述衬底；

在所述n型层的中部刻蚀露出所述p型层的第一凹槽；

在所述n型层的表面形成n型电极，在所述第一凹槽的底面形成p型电极；

在所述n型层、所述n型电极、所述第一凹槽、所述p型层、所述p型电极的表面制作钝化层；

在所述钝化层远离所述基板的表面形成第二凹槽，所述第二凹槽的底面在所述基板的正投影，与所述多量子阱层在所述基板的正投影不重叠。