[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110822014.1 | 申请日: | 2021-07-20 |
公开(公告)号: | CN113555374A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 吴永凯;熊正平;刘祺;齐超;孙振宇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括显示区域以及设置于所述显示区域周边的边缘防护区域,所述显示基板还包括:
基底;
膜层单元,设置于所述基底上,包括多个层叠设置的有机层和/或无机层,所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合;所述膜层单元位于所述边缘防护区域的部分设置多条切割沟道,且所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元;
第一保护层,设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧,所述第一保护层的材料包括导电材料,且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一保护层及所述大坝结构的材料包括石墨烯。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,至少部分所述切割沟道贯穿所述膜层单元并延伸至所述基底。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述切割沟道延伸至所述基底内的深度为1-2μm。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述切割沟道沿所述显示基板的边缘延伸,且环绕所述显示基板设置。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述大坝结构与所述显示基板的边缘基本平齐。
7.根据权利要求2所述的显示基板,还包括:
触控层,设置于所述膜层单元远离所述基底的一侧;
第二保护层,设置于所述触控层远离所述基底的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述第一保护层位于所述边缘防护区域;所述第二保护层包括位于所述边缘防护区域的第一子保护区以及位于所述显示区域的第二子保护区,所述第一子保护区设置于所述膜层单元与所述第一保护层之间,所述大坝结构远离所述基底的一端贯穿所述第一子保护区。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述第一保护层的厚度小于1μm。
10.根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述第一保护层位于所述边缘防护区域,所述第二保护层位于所述显示区域;所述第二保护层与所述第一保护层同层设置且厚度相同,所述第二保护层在所述基底上的正投影与所述第一保护层在所述基底上的正投影连接且不重合。
11.根据权利要求3-10任一项所述的显示基板,还包括:
走线层,环绕所述显示基板设置于所述膜层单元内且位于所述边缘防护区域,所述走线层与至少一条大坝结构连接,所述走线层的端部接地。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述显示区域包括栅极层,所述走线层与所述栅极层同层设置。
13.根据权利要求11所述的显示基板,还包括:
柔性线路板,与所述显示基板连接,包括地线;
所述走线层的端部与所述柔性线路板的地线连接。
14.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述大坝结构包括靠近所述显示区域的第一大坝,所述第一大坝靠近所述基底的一端延伸至所述走线层且与所述走线层连接。
15.根据权利要求11所述的显示基板,其中,包括设置于所述显示基板边缘的切割线;所述显示基板还包括:
碳化边缘,形成于所述切割线上,与所述第一保护层连接;
导电涂布层,设置于所述基底远离所述膜层单元的一侧,与所述碳化边缘连接。
16.一种显示装置,包括如权利要求1-15任一项所述的显示基板。
17.一种显示基板的制作方法,包括:
提供一基底;
在所述基底一侧制作膜层单元,所述膜层单元包括多个层叠设置的有机层和/或无机层,所述膜层单元在所述基底上的正投影与所述基底重合;
在所述膜层单元位于所述显示基板的边缘防护区域的部分制作多条切割沟道,所述切割沟道贯穿至少部分所述膜层单元;其中,所述边缘防护区域位于所述显示基板的显示区域的周边;
在所述膜层单元上制作第一保护层,所述第一保护层的材料包括导电材料,且所述第一保护层的至少部分材料填充所述切割沟道以形成多条并联的大坝结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的