[发明专利]IC测试探针结构及其制作方法

权利要求书

1.一种IC测试探针结构的制作方法，其特征在于，包括：

在载体（3）的两侧均贴敷一层第一铜箔层（4），所述载体（3）为可分离式材料制成；

在第一铜箔层（4）的外侧均增设一层半固化层（5）；

在半固化层（5）的外侧均高温压合有第二铜箔层（6），所述第二铜箔层（6）与所述半固化层（5）之间设有绝缘层（7）；

依据需求开设穿透所述第二铜箔层（6）、所述绝缘层（7）和所述半固化层（5）的沉孔（8）；在沉孔（8）内填充导体材料，并在所述铜箔层表面形成线路；

去除所述载体（3）和所述第二铜箔层（6） ，形成两个探针（2）结构；

去除半固化层（5）；

在漏出来的焊盘上镀上一层保护层（9）。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半固化层（5）为油墨层、干膜层或pp层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述半固化层（5）的厚度为30μm-200μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层（7）为PI层或环氧树脂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉孔（8）为倒喇叭圆锥孔或圆柱孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层（9）为镍金层、镍钯金层、镍银金层、镍银层、OSP层或锡层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载体（3）的厚度为30μm-200μm。