[发明专利]一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法、制得的二维氮化镓膜

权利要求书

1.一种二维氮化镓膜的限域模板制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将液态金属镓转移至衬底表面后形成金属镓膜，金属镓膜经过氧化即在衬底表面得到氧化镓膜；所述衬底为硅片、石英片或云母片；

（2）采用化学气相沉积法制备二维氮化硼膜；所述化学气相沉积法制备二维氮化硼膜的方法包括以下步骤：在反应腔体内放置铜箔衬底和氮化硼前驱体，其中氮化硼前驱体位于铜箔衬底的上游；对铜箔衬底所在的位置进行加热使其达到氮化硼的生长温度，然后对氮化硼前驱体所在的位置进行加热使氮化硼前驱体分解挥发，同时通入载气，氮化硼前驱体分解挥发产生的物质在载气的作用下转移至铜箔衬底表面，在铜的催化下合成得到二维氮化硼膜；

（3）将二维氮化硼膜转移至氧化镓膜顶面，使氧化镓膜被二维氮化硼膜包覆得到衬底-氧化镓膜-二维氮化硼膜复合物；将衬底-氧化镓膜-二维氮化硼膜复合物放入含有氮源的环境中进行氮化处理，冷却后得到氮化镓膜；所述氮化处理的温度为600-950℃，处理时间为10-30min。

2.根据权利要求1所述的二维氮化镓膜的限域模板制备方法，其特征在于：所述氮化硼前驱体为氨硼烷、乙硼烷和氨气的混合气体、环硼氮烷中的一种。

3.根据权利要求2所述的二维氮化镓膜的限域模板制备方法，其特征在于：所述氮化硼前驱体为氨硼烷。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的二维氮化镓膜的限域模板制备方法，其特征在于：所述氮源为氨气或尿素。

5. 根据权利要求1所述的二维氮化镓膜的限域模板制备方法，其特征在于：所述氮化处理温度为600℃，650℃，700℃，750℃，800℃，850℃ 、900℃ 或950℃，时间为10 min 、20min 或30min。

6.一种二维氮化镓膜，其特征在于：采用如权利要求1-5中任一项所述的二维氮化镓膜的限域模板制备方法制备而成。