[发明专利]存算一体装置及其校准方法在审

专利信息
申请号: 202110823220.4 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113553293A 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 姚鹏;吴华强;高滨;唐建石;钱鹤 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06F15/78 分类号: G06F15/78;G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一体 装置 及其 校准 方法
【权利要求书】:

1.一种存算一体装置的校准方法,其中,

所述存算一体装置包括第一处理单元,所述第一处理单元包括第一计算忆阻器阵列和第一校准忆阻器阵列,所述第一计算忆阻器阵列被配置为接收第一计算输入数据,并对所述第一计算输入数据进行计算以得到第一输出数据;所述第一校准忆阻器阵列的被配置为接收第一校准输入数据,并根据所述第一校准输入数据对所述第一输出数据进行校准,以得到第一校准输出数据;所述第一处理单元被配置为输出所述第一校准输出数据,

所述校准方法包括:

通过片外训练确定所述第一计算忆阻器阵列对应的第一计算权重矩阵,将所述第一计算权重矩阵写入所述第一计算忆阻器阵列;

基于写入了所述第一计算权重矩阵的所述第一计算忆阻器阵列和所述第一计算权重矩阵,对所述第一校准忆阻器阵列进行片上训练,以调整所述第一校准忆阻器阵列的权重值。

2.根据权利要求1所述的校准方法,其中,

所述第一计算忆阻器阵列包括M行*N列的忆阻器单元,所述第一校准忆阻器阵列包括K行*N列的忆阻器单元,所述第一校准忆阻器阵列的第i列与所述第一计算忆阻器阵列的第i列串联,所述第一校准忆阻器阵列的第i列的忆阻器单元被配置为根据所述第一校准输入数据对所述第一计算忆阻器阵列的第i列的第一输出数据进行校准,以得到第i列的第一校准输出数据,其中,M、N、K、i均为正整数,且1≤i≤N,

基于写入了所述第一计算权重阵列的所述第一计算忆阻器阵列和所述第一计算权重矩阵,对所述第一校准忆阻器阵列进行片上训练,以调整所述第一校准忆阻器阵列的权重值,包括:

根据第一训练计算输入数据和所述第一计算权重矩阵,确定第一训练目标输出数据;

向所述第一计算忆阻器阵列输入所述第一训练计算输入数据,并向所述第一校准忆阻器阵列输入第一训练校准输入数据,以得到第一训练校准输出数据;

根据所述第一训练校准输出数据和所述第一训练目标输出数据的偏差,调整所述第一校准忆阻器阵列中对应于所述第一计算忆阻器阵列中需要校准的列的忆阻器单元的权重值。

3.根据权利要求2所述的校准方法,其中,

所述第一校准忆阻器阵列包括固定偏差校准子阵列,所述第一训练校准输入数据包括固定训练校准输入数据,所述固定偏差校准子阵列包括1行*N列的忆阻器单元,

向所述第一校准忆阻器阵列输入所述第一训练校准输入数据,包括:向所述固定偏差校准子阵列输入所述固定训练校准输入数据。

4.根据权利要求2所述的校准方法,其中,

所述第一校准忆阻器阵列包括动态偏差校准子阵列,所述第一训练校准输入数据包括动态训练校准输入数据,所述动态偏差校准子阵列包括至少1行*N列的忆阻器单元,

向所述第一校准忆阻器阵列输入所述第一训练校准输入数据,包括:根据所述第一训练计算输入数据,确定所述动态训练校准输入数据;以及,向所述动态偏差校准子阵列输入所述动态训练校准输入数据。

5.根据权利要求2所述的校准方法,其中,

所述第一校准忆阻器阵列包括固定偏差校准子阵列和动态偏差校准子阵列,所述第一训练校准输入数据包括固定训练校准输入数据和动态训练校准输入数据,所述固定偏差校准子阵列包括1行*N列的忆阻器单元,所述动态偏差校准子阵列包括至少1行*N列的忆阻器单元,

向所述第一校准忆阻器阵列输入所述第一训练校准输入数据,包括:

向所述固定偏差校准子阵列输入所述固定训练校准输入数据;

根据所述第一训练计算输入数据,确定所述动态训练校准输入数据;以及,

向所述动态偏差校准子阵列输入所述动态训练校准输入数据。

6.根据权利要求3或5所述的校准方法,其中,向所述固定偏差校准子阵列输入所述固定训练校准输入数据,包括:向所述固定偏差校准子阵列输入所述第一训练计算输入数据的最大值的5%-20%,以作为所述固定训练校准输入数据。

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