[发明专利]充电输入保护装置及该装置的充电过压过温保护方法在审

专利信息
申请号: 202110823845.0 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113541257A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 易丽兰;李清辉 申请(专利权)人: 深圳派特科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙) 44411 代理人: 张小晶
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 充电 输入 保护装置 装置 保护 方法
【权利要求书】:

1.一种充电输入保护装置,包括充电器(S1)、能够与所述充电器(S1)对插形成充电状态的电子产品(S2),所述电子产品(S2)的电路板上具有充电保护电路,其特征在于,该充电保护电路包括:

具有判定输入电压是否在预设电压范围的单片机控制单元(S6),该单片机控制单元(S6)通过一输入电压正极开关单元(S4)接至充电输入端口的输入电压正极且所述单片机控制单元(S6)能够控制所述输入电压正极开关单元(S4)的通断,所述单片机控制单元(S6)还通过一输入电压负极开关单元(S9)接至充电输入端口的输入电压负极且所述单片机控制单元(S6)能够控制所述输入电压负极开关单元(S9)的通断;

输入电压采样单元(S3),所述输入电压采样单元(S3)的采样端子接至所述输入电压正极,其采样电压输出端接至所述单片机控制单元(S6),所述输入电压采样单元(S3)用于对所述充电器(S1)连接到被充电子产品(S2)的输入电压进入采样,并将采集至的电压送至所述单片机控制单元(S6)。

2.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置,其特征在于,所述充电输入保护装置还包括充电温度检测单元(S7),所述充电温度检测单元(S7)的检测端子接至所述充电输入端口的输入电压正极,其输出端接至所述单片机控制单元(S6)。

3.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置,其特征在于,所述充电输入保护装置还包括电连接至所述单片机控制单元(S6)的过压过温报警单元(S8),所述单片机控制单元(S6)控制过压过温报警单元(S8)的通断。

4.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置,其特征在于,所述充电输入保护装置还包括充电管理单元(S5),该电管理单元(S5)的两个输入端子分别电连接至所述单片机控制单元(S6)和所述输入电压正极开关单元(S4)。

5.根据权利要求1所述的一种充电输入保护装置,其特征在于,所述充电输入端口的输入电压正极串联有PMOS晶体管Q4且所述充电输入端口的输入电压正极接至所述PMOS晶体管Q4的漏极D;

所述充电输入端口的输入电压负极串联有PMOS晶体管Q5且所述充电输入端口的输入电压负极接至所述PMOS晶体管Q5的漏极D;

所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间连接有串联的电阻R53和电阻R54,所述电阻R53和所述电阻R54之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元(S6)的第一AD检测口;

所述PMOS晶体管Q4的栅极G和所述PMOS晶体管Q5的栅极G分别电连接至所述单片机控制单元(S6)。

6.根据权利要求5所述的一种充电输入保护装置,其特征在于,所述PMOS晶体管Q4的漏极D和所述PMOS晶体管Q5的漏极D之间还连接有串联的电阻R56和电阻R55,所述电阻R56和电阻R55之间的电路节点上连接至所述单片机控制单元(S6)的第二AD检测口。

7.根据权利要求6所述的一种充电输入保护装置,其特征在于,所述电阻R56为PTC正温度系数电阻,该电阻R56设置于充电温度敏感区域以感知该充电温度敏感区域的温度变化。

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