[发明专利]银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法

权利要求书

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，所述银薄膜蚀刻液组合物包含有机酸、无机酸、蚀刻引发剂及水，并且蚀刻终止指数为0.05至0.35，其中所述蚀刻终止指数根据下式计算：

蚀刻终止指数＝(无机酸的含量+蚀刻引发剂的含量)/(有机酸的含量+水的含量)。

2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，

相对于所述银薄膜蚀刻液组合物的总重量，包含40重量％至65重量％的有机酸、5重量％至10重量％的无机酸、1重量％至15重量％的蚀刻引发剂及使组合物的总重量成为100重量％的余量的水。

3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述有机酸包含选自由乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、甲磺酸、苯磺酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸及乙二胺四乙酸组成的组中的一种以上。

4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述无机酸包含选自由硝酸、硫酸及盐酸组成的组中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述蚀刻引发剂包含选自由过氧化物引发剂、碱金属引发剂及过渡金属引发剂组成的组中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述有机酸包含乙酸及柠檬酸。

7.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述过氧化物引发剂包含选自由过硫酸钠、过硫酸铵、过硫酸钾、过一硫酸氢钾复合盐及草酸组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述碱金属引发剂包含选自由硝酸钠、硝酸钾、硝酸钙、硫酸钠、硫酸钾、硫酸钙、氯化钠、氯化钙及氯化钾组成的组中的一种以上。

9.根据权利要求5所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述过渡金属引发剂包含选自由硝酸亚铁、硝酸铁、硫酸亚铁及硫酸铁组成的组中的一种以上。

10.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜。

11.根据权利要求10所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述氧化铟膜为选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌及氧化铟镓锌组成的组中的一种以上。

12.根据权利要求10所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜为氧化铟膜/银、氧化铟膜/银合金、氧化铟膜/银/氧化铟膜、或氧化铟膜/银合金/氧化铟膜。

13.一种蚀刻方法，包括以下步骤：

在基板上形成由银或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜；

在由银或银合金组成的所述单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜上选择性地残留光反应物质；以及

使用权利要求1所述的组合物来对由银或银合金组成的所述单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜进行蚀刻。

14.一种形成金属图案的方法，包括以下步骤：

形成由银或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜；以及

使用权利要求1所述的组合物来对由银或银合金组成的所述单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜进行蚀刻。