[发明专利]一种GaN宽带功放过温自动保护电路

说明书

本发明属于GaN宽带功放领域，具体的说是一种GaN宽带功放过温自动保护电路，包括GaN宽带功放模块；所述GaN宽带功放模块的输出端电性连接有温度传感器模块，所述温度传感器模块的输出端电性连接有温度传输模块；该GaN宽带功放模块通过单片机模块对其进行检测，完全采用模拟器件，保护速度取决于比较器的速度，一般能到100ns以内，单片机模块的成本不断降低，可靠性也不断提高，解决了一般GaN宽带功放在过温度传感器对温度电路进行保护时不能对阈值的数值进行日调整，并且在电压值在阈值数据频繁上下浮动时，容易造成对GaN宽带功放的内部造成损伤，导致降低了GaN宽带功放的实用性，提高了该GaN宽带功放过温自动保护电路的效率。

技术领域

本发明涉及GaN宽带功放领域，具体是一种GaN宽带功放过温自动保护电路。

背景技术

GaN HEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件，在电磁兼容EMC，无线通信，卫星通信，雷达电子战等领域有着广泛的应用，之前功放温度保护采用模拟电路的方法实现，通过模拟式温度传感器将功放当前的温度值转换成模拟电压值，输入到比较器一端，比较器电路另一端通过设置合适的固定电压值来作为过温保护的阈值，一旦模拟温度传感器的输出电压值超过比较器一端的阈值时，比较器输出低电平，关断功放，达到过温保护的目的。

且现在GaN宽带功放在过温度传感器对温度电路进行保护时不能对阈值的数值进行日调整，并且在电压值在阈值数据频繁上下浮动时，容易造成对GaN宽带功放的内部造成损伤，导致降低了GaN宽带功放的实用性，不能满足GaN宽带功放的使用需求。

因此，针对上述问题提出一种GaN宽带功放过温自动保护电路。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，解决一般GaN宽带功放在温度检测时实用性低的问题，本发明提出一种GaN宽带功放过温自动保护电路。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种GaN宽带功放过温自动保护电路，包括GaN宽带功放模块；所述GaN宽带功放模块的输出端电性连接有温度传感器模块，所述温度传感器模块的输出端电性连接有温度传输模块，所述温度传输模块的输出端电性连接有单片机模块，所述单片机模块的输出端电性连接有温度数据检测模块，所述温度数据检测模块的输出端电性连接有打开功放模块，所述打开功放模块的输出端与GaN宽带功放模块的输入端电性连接。

所述单片机模块的输出端电性连接有温度判断模块，所述温度判断模块的输出端电性连接有温度过低模块，所述温度过低模块的输出端电性连接有关闭功效模块，所述温度判断模块的输出端电性连接有温度过高模块。

优选的，所述温度传感器模块的型号为DS18B20，且温度传感器模块的温度范围为-55℃-125℃。

优选的，所述单片机模块的型号为MM32L373PS，且单片机模块的内部设置有两个电性连接口，且单片机模块通过两个电性连接口分别与温度数据检测模块和温度判断模块电性连接。

优选的，所述温度判断模块包括温度过高模块和温度过低模块，且温度过高模块的输出端和温度过低模块的输出端均与温度数据检测模块电性连接。

优选的，所述温度过高模块的内部最高数值设置为T1，所述温度过低模块的内部最低数值为T2，且T1与T2之间的相差数值为二十度。

优选的，所述温度数据检测模块的型号为SW-902B，且温度数据检测模块的量程-50℃-390℃。

优选的，所述GaN宽带功放模块的内部设置有两个输入端，且GaN宽带功放模块通过两个输入端分别与关闭功效模块和温度传感器模块电性连接。

本发明的有益之处在于：