[发明专利]一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置在审
| 申请号： | 202110824913.5 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115700902A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 黄鑫;王士欣 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 结构 形成 方法 半导体 装置 | ||
1.一种接触结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底内具有多个隔离区，所述隔离区于所述衬底隔离出若干个有源区；
同时对所述有源区和隔离区进行第一次蚀刻，以形成第一接触通孔，所述第一接触通孔底部于有源区位置处形成凸起有源区；
沉积第一介质层，覆盖所述第一接触通孔的侧壁和底部；
对第一接触通孔底部进行第二次蚀刻，形成具有目标深度的接触结构。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述隔离区的蚀刻速率大于所述有源区的蚀刻速率。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一接触通孔底部的所述凸起有源区顶部和第一接触通孔底部之间形成有第一高度差。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述接触结构底部的有源区顶部至所述接触结构底部的隔离区表面的距离为第二高度差，所述第二高度差小于第一高度差。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在一次蚀刻形成的第一接触通孔中，所述第一接触通孔内与所述凸起有源区对应的深度小于所述第一接触通孔的目标深度。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述第一次蚀刻对有源区的蚀刻深度为所述目标深度的四分之三。
7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述凸起有源区位于第一接触通孔底部中心位置处，凸起有源区的两侧至所述第一接触通孔对应两侧侧壁的距离均为第一宽度。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层的沉积厚度大于或等于所述第一宽度的二分之一。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：凸起有源区的顶部至所述第一接触通孔底表面的距离为第一高度，所述第一高度大于所述沉积厚度。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一次蚀刻中所述隔离区蚀刻速率和第二次蚀刻中所述第一介质层蚀刻速率相同；所述第一次蚀刻中有源区的蚀刻速率和第二次蚀刻中有源区的蚀刻速率相同。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述隔离区材料和/或所述第一介质层的材料包括氧化硅；所述有源区材料包括硅。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：对所述有源区和隔离区进行第一次蚀刻包括：在所述衬底表面形成保护层，在所述保护层上方形成图案化的掩膜层，所述图案化的掩膜层用于定义第一接触通孔的位置。
13.一种接触结构，其特征在于，所述接触结构采用如权利要求1-12任一所述的形成方法形成。
14.一种半导体装置，其特征在于，包括权利要求13所述的接触结构。
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