[发明专利]忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种忆阻器，其特征在于，

所述忆阻器包括第一银线(1)、第二银线(2)和绝缘层(3)，所述绝缘层(3)为氧化银，所述绝缘层(3)被夹在所述第一银线(1)和所述第二银线(2)之间。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，

所述绝缘层(3)设置在所述第一银线(1)和所述第二银线(2)的其中一者的周面上。

3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，

所述绝缘层(3)设置在所述第一银线(1)和所述第二银线(2)的交叉位置处。

4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，

所述第一银线(1)和所述第二银线(2)的周面上都设置有所述绝缘层(3)。

5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，

所述忆阻器包括多根所述第一银线(1)和多根所述第二银线(2)，多根所述第一银线(1)和多根所述第二银线(2)被设置成横纵编织的忆阻器阵列。

6.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，

所述第一银线(1)和所述第二银线(2)的长度为3～5厘米，直径为10～20微米。

7.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，

所述绝缘层(3)的厚度为80～200纳米。

8.一种忆阻器的制备方法，其特征在于，所述忆阻器为权利要求1至7中任一项所述的忆阻器，所述忆阻器的制备方法包括：

提供所述第一银线(1)和所述第二银线(2)；

对所述第一银线(1)和/或所述第二银线(2)进行表面处理，得到所述绝缘层(3)；以及

将所述第一银线(1)和所述第二银线(2)叠放，形成依次排列的所述第一银线(1)、所述绝缘层(3)、所述第二银线(2)结构。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

所述第一银线(1)和/或所述第二银线(2)进行表面处理的方法为等离子体表面处理或紫外臭氧表面处理。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

在所述等离子体表面处理的过程中，用到的氧气的流量被控制在30～90标准毫升/分钟，等离子体设备的功率被控制在50～200瓦，等离子体表面处理时间被控制在1～3秒，

在所述紫外臭氧表面处理的过程中，臭氧设备的功率被控制在50～200瓦，紫外臭氧表面处理的时间被控制在20～40分钟。