[发明专利]一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法

权利要求书

1.一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：它包括以下步骤：

步骤1、对基片进行清洗干燥；

步骤2、采用多弧离子镀，利用弧光放电时快速蒸发硅靶形成液滴，液滴在电场作用下沉积在基片表面，形成0.5-3微米厚的硅纳米乳突；

步骤3、磁控溅射镀硅光学膜，该光学膜的厚度300纳米以内，得到超硬仿生AR片，

步骤2的多弧离子镀具体为：

第一：将基片安装在多弧离子镀设备的基片台上作为阳极，将硅靶装入多弧离子镀弧头作为阴极；抽真空度至2×10^-3～8×10^-4Pa后，通入氩气使多弧离子镀中的压力稳定在0.2～0.8Pa范围；

第二：预热基材至200℃～500℃；放电电压15V～20V、电流50A～80A、沉积速率为3～5μm/min；在该条件下液滴的沉积时间5～15分钟；

第三：将沉积有液滴基材进行1100～1250℃高温扩散处理，扩散时间10～60min，形成纳米乳突，

步骤3的磁控溅射镀具体为：

第一：将基片安装在磁控溅射仪的阳极板上；再将硅靶放入磁控溅射仪中，作为阴极；抽真空度至10^-2～10^-3Pa后，通入氩气使磁控溅射仪中的压力稳定在1～10Pa 范围；

第二：预热基材至500℃～800℃；放电电压280V～350V、电流0.2A～0.6A、沉积速率为0.5～1.2μm/min，在该条件下进行表面硅薄膜沉积；

第三：进行1000～1250℃高温扩散，扩散时间5～60min，得到超硬仿生AR片。

2.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：步骤1所述基片为玻璃或蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：步骤2中所述纳米乳突为周期性排列的纳米乳突，纳米乳突为圆锥、圆柱或梯形柱。

4.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：步骤2中的液滴的直径控制在1um。

5.根据权利要求1所述的一种利用多弧离子镀和磁控溅射镀制备超硬仿生AR片的方法，其特征在于：所述清洗采用的质量浓度5%、温度60℃-70℃的碳酸钠溶液清洗5-10分钟。