[发明专利]太赫兹波共振陶瓷材料、其制备方法及应用其的净水器

权利要求书

1.一种净水器，其特征在于，

从进水口至出水口包括至少四级过滤筒依次串联：第一级过滤筒内设置有PP棉复合炭滤芯，第二级过滤筒内设置有石墨烯抗菌滤芯，第三级过滤筒内设置有中空超滤膜滤芯，第四级过滤筒内设置有太赫兹波共振陶瓷材料填充的滤芯，

所述太赫兹波共振陶瓷材料，包括以下质量份数的原料：太赫兹共振体基材组分30～85份，粘结剂5～30份；

所述的太赫兹共振体基材组分包括以下质量份数的基材成分：

太赫兹发射烧结体 35～55份，电气石粉 25～35份，石墨烯粉 0.1～5份，氧化铝粉 10～15份，晶体硅粉20～35份；

其中，太赫兹发射烧结体由硅酸盐矿物粉体和活性炭粉体按（1.2～3）：1的质量比混合烧结而成；

太赫兹波共振陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：

S1.烧结

配置硅酸盐矿物粉体和活性炭粉体，置于1200～1600℃的高温无氧环境中烧结12～24小时，保温1～3小时后将烧结体冷却至30～50℃，研磨获得太赫兹发射烧结体；

S2.混料

配置所述的太赫兹波共振陶瓷材料的原料，除粘结剂外的其余材料混合并研磨至粉体粒径＜50μm；

S3.成型

将步骤S2制备得到的混匀的物料加入到成球机或冲压机成型，成型过程不断喷洒粘结剂；

S4.烘焙筛选

将成型后物料进行烘焙，烘焙温度为200～500℃，烘焙时间为0 .5～2h，制得颗粒状的陶瓷材料；

S5.照射加工

将步骤S4制得的颗粒状的陶瓷材料放置在太赫兹波照射装置上进行照射加工，太赫兹波照射装置发射0.3～10THZ范围的电磁波，照射时间为30～180分钟，即得太赫兹波共振陶瓷材料。

2.如权利要求1所述的净水器，其特征在于，所述太赫兹波共振陶瓷材料还包括以下质量份数的原料：纳米抗菌富氢组分25～85份；

所述的纳米抗菌富氢组分包括以下质量份数的辅材成分：

纳米氧化镁 25～55份，

纳米氧化硅15～50份，

纳米氧化铝 5～20份，

纳米氧化锌25～55份，

纳米氧化铜 15～50份，

纳米氧化钛 10～30份，

以上各辅材成分的粒径为20～200 nm。

3.如权利要求1或2所述的净水器，其特征在于，所述的粘结剂由蒸馏水和粘结材料组成，所述的粘结材料为羧丙基纤维素、膨润土中的一种或两种。

4.如权利要求3所述的净水器，其特征在于，所述的粘结剂由蒸馏水、羧丙基纤维素和膨润土组成，其质量份数如下：

蒸馏水 30～60份，

羧丙基纤维素 10～35份，

膨润土 20～55份。

5.如权利要求1所述的净水器，其特征在于，所述的硅酸盐矿物粉体为玄武岩、安山岩、石英斑粝岩、石英闪绿岩中的一种或几种，所述的活性炭粉体为椰壳活性炭、木活性炭、竹活性炭、钢炭、矿物质活性炭的一种或几种。

6.如权利要求5所述的净水器，其特征在于，所述的活性炭粉体的碘值≥950mg/g，亚甲蓝值苯吸附≥120mg/g，比表面积≥1000m²/g，机械强度≥90%；所述的石墨烯粉的堆积密度为0.01~0.02g/mL，所述的太赫兹共振体基材组分的粒径＜50μm。

7.如权利要求1所述的净水器，其特征在于，步骤S1中，硅酸盐矿物粉体和活性炭粉体，在烧结前先经研磨预处理成粒径为10～50μm的粉体，烧结后再研磨成150目～350目的粉末。