[发明专利]基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 202110827291.1 | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN113594383A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 唐建新;王经坤;李艳青 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙周强;陶海锋 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 修饰 空穴 传输 蓝光钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的空穴传输层为醇胺修饰空穴传输层。
2.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管还包括蓝光钙钛矿发光层、电子传输层、阳极和阴极。
3.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于,所述醇胺为丙醇胺。
4.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于,将醇胺与空穴传输层原液按1~3:1000的体积比混合并搅拌均匀,得到修饰的空穴传输层溶液,再将修饰的空穴传输层溶液制备成膜,作为基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的空穴传输层。
5.根据权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管,其特征在于,醇胺修饰空穴传输层的厚度为30~40 nm,蓝光钙钛矿发光层厚度为20~25 nm。
6.权利要求1所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,将醇胺加入空穴传输层原液中,得到修饰的空穴传输层溶液,然后将修饰的空穴传输层溶液涂于阳极表面,退火处理,得到空穴传输层,再制备蓝光钙钛矿发光层、电子传输层和阴极,得到基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管。
7.根据权利要求6所述基于修饰空穴传输层的蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法,其特征在于,醇胺的体积为空穴传输层原液体积的1~3‰。
8.一种蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层溶液,其特征在于,包括醇胺与空穴传输层原液。
9.一种蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层,其特征在于,将醇胺与空穴传输层原液按1~3:1000的体积比混合并搅拌均匀,得到修饰的空穴传输层溶液,再将修饰的空穴传输层溶液制备成膜,作为蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层。
10.醇胺在制备蓝光钙钛矿发光二极管用空穴传输层中的应用;或者醇胺在制备蓝光钙钛矿发光二极管中的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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